تحلیل Tcad از تغییرات آلایش کانال بر مشخصه های الکتریکی ماسفت دو گیتی در کاربردهای آنالوگ و دیجیتال
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9920177913.1400.20.1.11.7
|
|
نویسنده
|
علوی راد حسین
|
|
منبع
|
كنفرانس ملي دانشجويي مهندسي برق ايران - 1400 - دوره : 20 - بیستمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران - کد همایش: 99201-77913
|
|
|
|
|
چکیده
|
در این مقاله، عملکرد ترانزیستور اثر میدان نیمه رسانای اکسید فلز دو گیتی (dg-mosfet) در آلایش های گوناگون کانال بررسی و تحلیل شده است. مشخصه های الکتریکی مهم در کاربردهای آنالوگ و دیجیتال، مانند ولتاژ آستانه، جریان خاموشی و جریان حالت روشن به ازای آلایش کانال متغیر از 1*10^16 cm^-3 تا 2*10^13 cm^-3 مقایسه شده اند. بایاس درین از mv 10 تا v 1 افزایش داده شده، تا تاثیر dibl در آلایش کانال گوناگون بررسی گردد. افزون بر این، با توجه به اهمیت کلیدی نسبت ion/ioff در عملکرد دیجیتال افزاره، تاثیر آلایش کانال بر این مشخصه نیز بررسی شده است. در پایان، انتخاب مقدار بهینه ی آلایش کانال با توجه به رابطه های جایگزینی بین توانایی سوییچینگ، جریان حالت روشن، نیاز به توان و اثرات کانال کوتاه مانند dibl و جریان خاموشی، بحث و بررسی شده اند. استخراج مشخصه ها در این مقاله با استفاده از ابزار شبیه ساز atlastm انجام شده است.
|
|
کلیدواژه
|
اثرات کانال کوتاه ,تغییرات آلایش کانال ,جریان خاموشی ,کاهش سد القا شده ی درین (Dibl)، ماسفت دو گیتی (Dg-Mosfet).
|
|
آدرس
|
آزاد اسلامی لنگرود, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|