ویژگی‌های دی‌الکتریک و مشخصه‌یابی فونونی نیمرسانای inn در فاز جدید اورتورومبیک با گروه فضایی pnma

اخیراً بر اساس محاسبات نظری، فاز جدیدی برای نیمرسانای inn با ساختار اورتورومبیک و گروه فضایی pnma پیش‌بینی شده است که از لحاظ ترمودینامیکی، مکانیکی و دینامیکی پایدار است. در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی (dfpt)، برخی ویژگی‌های دی‌الکتریک و فونونی inn-pnma بررسی شده است. نتایج ما نشان می‌دهد که رفتار ناهمسانگردی در تابع دی‌الکتریک وجود دارد و متوسط تابع دی‌الکتریک استاتیک از فاز وورتزایت inn کوچکتر است در صورتی که متوسط سهم الکترونی تابع دی‌الکتریک استاتیک از فاز وورتزایت inn بزرگتر است. همچنین بازتابندگی ir و تابع دی‌الکتریک وابسته به فرکانس به همراه پاشندگی فونونی و چگالی حالت‌های فونونی بررسی شد. نتایج ما نشان می‌دهد که ویژگی‌های فونونی و دی‌الکتریک این ساختار می‌تواند در استفاده آن در سلول‌های خورشیدی حامل داغ کاربرد داشته باشد.

Dielectric properties and phonon characterization of InN semiconductor in the novel orthorhombic phase with Pnma space group

Recently, the novel phase of InN semiconductor with an orthorhombic structure and Pnma space group has been predicted by theoretical calculations which is thermodynamically, mechanically and dynamically stable. In this paper, some dielectric and phononic properties of the InN-Pnma are investigated using the density functional perturbed theory (DFPT). Our results show that the dielectric behavior is anisotropic and the average of the static dielectric function is smaller than that InN wurtzite phase while the average of the electronic contribution of the static dielectric function is larger than InN wurtzite phase. Also, the IR-reflectivity and frequency-dependent dielectric function and phonon dispersion with phonon density of states of the InN-Pnma are studied. The results indicate that dielectric and phononic properties of InN-Pnma can be used in the hot-carrier solar cells application.