|
|
|
|
رشد و مشخصه بابی تک بلور نیم رسانای cd0/96zn0/04te به روش بریجمن
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
لطفی سجاد ,میرزاخانی حمیدرضا ,عسگری اصغر ,حسین خانی پرویز
|
|
منبع
|
كنفرانس فيزيك ايران - 1399 - دوره : 36 - کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۹۹ - کد همایش: 99200-93529 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این پژوهش تک بلور های cd0/96zn0/04te به روش بریجمن و بدون هسته اولیه و با قطرcm2 رشد داده شد. مطالعات انجام شده با پراش پرتو x نشان می دهد که بلور های رشد یافته تک فازند و ترجیحا به موازات محور بلور (111) قرار دارند .مقاومت ویژه به وسیله پروب چهار نقطه ای اندازه گیری شد که نشان می دهد مقاومت ویژه تک بلور ها از مرتبه ω.cm 106 است و رسانندگی الکتریکی بلور های رشد یافته به روش بریجمن نوع p است.
|
|
کلیدواژه
|
تک بلور ,نیم رسانا ,بریجمن ,رشد بلور ,کادمیوم زینک تلوراید
|
|
آدرس
|
دانشگاه تبریز. tabriz university, دانشگاه تبریز. tabriz university, دانشگاه تبریز. tabriz university, دانشگاه جامع امام حسین(ع). imam hossein university
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Growth and characterization of single crystal semiconducting Cd0.96Zn0.04Te by Bridgman method
|
|
|
|
|
Authors
|
Lotfi Sajad ,Mirzakhani Hamidreza ,Asgari Asghar ,Hossein Khani Parviz
|
|
Abstract
|
In this research, Single crystals of Cd0/96Zn0/04Te (CZT) with 2cm in diameter were grown by seedless Bridgman method. Identification and investigation of their properties was performed using various structural analyzes. XRD study show that the grown crystals are single phase, which preferentially have been grown along [111] crystal axis. The electrical resistivity measured by Four Point Probe show that the resistivity is in order of 106.cm and the electrical conductivity of crystals grown by Bridgman method is p-type.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|