|
|
|
|
تاثیر کسر مولی بر مشخصه های دیود نورگسیل فرابنفش بر پایه gan
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
کلهر بهروز ,کلهر داود ,موسی رضایی معصومه
|
|
منبع
|
كنفرانس فيزيك ايران - 1399 - دوره : 36 - کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۹۹ - کد همایش: 99200-93529 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این تحقیق یک دیود نور گسیل بر پایه gan با استفاده از نرم افزار سیلواکو (اتلس) شبیه سازی شده است. تاثیر کسر مولی لایه سد کننده بر روی عملکرد آن بررسی شده است. لازم به ذکر است که استفاده از لایه سد کننده الکترون برای جلوگیری از نشت الکترون می‌باشد. لایه سد کننده از جنس alxga1-xn انتخاب شده است. توان نور خروجی و لومینسانس دیود با افزایش کسر مولی al از مقدار05/0x= تا 3/0x= مورد بررسی قرار گرفته است.
|
|
کلیدواژه
|
بازترکیب ,توان نور خروجی ,دیود نور گسیل ,کسر مولی ,لایه سد کننده الکترون
|
|
آدرس
|
جهاد دانشگاهی شریف. jahad daneshghahi sharif, دانشگاه دامغان. دانشگاه دامغان, دانشگاه امام خمینی. imam khomeini university
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
The Effect of Mole Fraction on the Properties of Ultraviolet Light Emitting Diode (LED) Based on GaN
|
|
|
|
|
Authors
|
Kalhor Behroz ,Kalhor Davood ,Mousa Rezaei Masoumeh
|
|
Abstract
|
In this study, a light emitting diode (LED) based on GaN has simulated by using Silvaco (Atlas) software. The effect of mole fraction of blocking layer on the properties of LED was studied. It should be mentioned that the electron blocking layer has been used for preventing of electron leakage. The AlxGa1-xN has chosen as the blocking layer. The optical power output and luminescence of LED with respect of increasing the Al mole fraction from x=0.05 to x=0.3 has assessed.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|