بررسی حضور نقاط کوانتومی در لایه‌های مختلف یک دیود نورگسیل آلی

در این مقاله ساختار یک دیود نورگسیل آلی معکوس با حضور نقاط کوانتومی در لایه‌های مختلف آن بررسی شد و نشان داده شد که قرار گرفتن نقاط کوانتومی در لایه انتقال‌دهنده حفره سبب بهبود بیشتر خاص الکتریکی و اپتیکی دیود نورگسیل آلی خواهد شد. ویژگی‌هایی مانند راندمان لومینسانس، غلظت هر یک از حامل‌ها، مشخصه جریان-ولتاژ و ... موردبررسی و مقایسه قرار گرفت.به‌منظور بهینه‌سازی ساختار دیود نورگسیل آلی شبیه‌سازی را بر اساس روش تفاضل محدود حوزه‌ی زمان (fdtd) انجام شده است. نقاط کوانتومی در سه لایه tcta، tpbi و bphen به‌صورت یک ردیف قرار گرفت و نشان داده شد وقتی نقاط کوانتومی در لایه tcta قرار می‌گیرد نتایج بهتری حاصل می‌گردد.

The Investigation of the Existence of Quantum Dots in Different Layer of Light Emitting Diode

In this paper, the structure of an inverted organic light-emitting diode with the presence of quantum dots in its different layers was investigated and it was shown that the placement of quantum dots in the hole transport layer will further improve the electrical and optical specificity of the organic light-emitting diode. Features such as luminescence efficiency, concentration of each carrier, current-voltage characteristic, etc. were examined and compared.In order to optimize the structure of the organic light emitting diode, the simulation was performed based on the finite time domain difference method (FDTD). Quantum dots were placed in three layers of TCTA, TPBi, and Bphen in a single row, and it was shown that better results were obtained when quantum dots were placed in the TCTA layer.