|
|
|
|
بررسی اثرات اکسیتونی در ویژگی‌های اپتیکی mxeneهای نیم‌رسانای بر پایه‌ی اسکاندیوم و هافنیوم
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
مومنی فیلی راضیه ,دادستانی مهرداد ,نجاتی پور ریحان
|
|
منبع
|
كنفرانس فيزيك ايران - 1399 - دوره : 36 - کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۹۹ - کد همایش: 99200-93529 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این مطالعه، خواص اپتیکی mxeneهای نیم‌رسانای sc2ct2 (t= f, oh, o) و hf2co2، شامل قسمت‌های حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک و تابع اتلاف انرژی را با حل معادله بث- سالپیتر ((bse و با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل(fplapw) محاسبه و تفسیر می‌گردد. در این ترکیبات، ساختارهای اکسیتونی زیر گاف‌های نواری محاسبه شده ظاهر شده‌اند. ترکیبات sc2co2 و sc2cf2 سه ساختار اکسیتونی و sc2c(oh)2 و hf2co2 دو ساختار اکسیتونی را نمایش می‌دهند. انرژی پیوندی محاسبه شده‌ی اکسیتون‌ها در sc2co2 نسبت به سایر ترکیبات دیگر بزرگتر است. ویژگی‌های طیفی در توابع اتلاف انرژی در نزدیکی ناحیه گاف نواری به ساختارهای اکسیتونی مربوطه در قسمت موهومی تابع دی الکتریک نسبت داده می‌شوند.
|
|
کلیدواژه
|
mxenes ,خواص اپتیکی ,اثرات اکسیتونی ,bse.
|
|
آدرس
|
دانشگاه لرستان. university of lorestan, دانشگاه لرستان. university of lorestan, دانشگاه لرستان. university of lorestan
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Investigation of Excitonic effects in the optical properties of Scandium and Hafnium MXene semiconductors
|
|
|
|
|
Authors
|
Momeni Feili Razieh ,Dadsetani Mehrdad ,Nejatipour Reihan
|
|
Abstract
|
In this study, the optical properties of Sc2CT2(T=O,F,OH) and Hf2CO2 MXene semiconductors, including real and imaginary parts of dielectric as well as energy loss functions, using the solving of the Bethe-Salpeter equation (BSE) and the full potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method are calculated and interpreted. In these compounds, the excitonic structures have appeared below the calculated band gaps. Sc2CO2 and Sc2CF2 have three excitonic features whereas Sc2C(OH)2 and Hf2CO2 show two. The calculated binding energies of excitons in Sc2co2 are larger than the ones in the other compounds. Spectral features in the energy loss functions near the band gap region were attributed to corresponding excitonic structures in the imaginary part of the dielectric function.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|