|
|
|
|
رسانندگی گرمائی یک افزاره ی چاه کوانتومی نیمه هادی دوبعدی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
انصاری پور قاسم ,انوش اللهیار
|
|
منبع
|
كنفرانس فيزيك ايران - 1399 - دوره : 36 - کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۹۹ - کد همایش: 99200-93529 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این کار پژوهشی خواص گرمایی یک ساختار دوبعدی نیمه هادی مانند چاه کوانتومیsi و ge با لحاظ نرخ واهلش فونون در فرآیندهای پراکندگی واگرد، پراکندگی مرزی و پراکندگی اختلاف جرم را بررسی کرده و رسانندگی گرمایی را محاسبه و رسم کرده ایم.
|
|
کلیدواژه
|
فونون ,چاه کوانتومی ,انبوهه ,فرآیند واگرد.
|
|
آدرس
|
دانشگاه بوعلی سینا همدان. bu-ali sina university, دانشگاه بوعلی سینا همدان. bu-ali sina university
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Thermal Conductivity of a Two Dimensional Semiconductor Quantum Well Device
|
|
|
|
|
Authors
|
Ansaripour Ghassem ,Anosh Allahyar
|
|
Abstract
|
In this work, the thermal properties of a two-dimensional semiconductor structures such as an Si and Ge quantum well is investigated regarding the phonon relaxation rates of the the umklapp scattering processes, boundary scattering, mass difference scattering and the thermal conductivity is calculated and plotted.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|