بررسی ساختار نواری و خواص اپتیکی inasxsb1-x(x = 0.25, 0.5) تحت کشش غیرهیدرواستاتیک شبکه

با بکارگیری بسط غیرهیدرواستاتیک شبکه، ساختار نواری و خواص اپتیکی inasxsb1-x(x = 0.25, 0.5)با استفاده از نظریه تابعی چگالی و بکارگیری بسته محاسباتی wien2k مورد بررسی قرار گرفته است. برای مطالعه ساختار نواری و خواص اپتیکی تحت کشش غیرهیدرواستاتیک، ثابت‌های شبکه در صفحه ab بسط داده شده‌اند و ثابت شبکه در امتداد محور c با بکار‌گیری تابع تبادلی همبستگی (wu- cohen) gga بهینه شده‌است. با توجه به نتایچ به‌دست آمده، بسط شبکه به میزان جزئی منجر به گذار به سمت نیم‌رسانا‌های توپولوژی می‌شود و حین این گذار ثابت دی‌الکتریک به آرامی افزایش می‌یابد و ساختار‌های اصلی در بخش موهومی تابع دی-الکتریک به سمت انرژی‌های پایین‌تر پیش می‌روند .

Band structure and optical properties of InAsxSb1-x(x = 0.25, 0.5) under nonhydrostatic lattice expansion

Applying nonhydrostatic lattice expansion, the electronic band structure and optical properties of InAsxSb1-x(x = 0.25, 0.5) have been investigated using density functional theory by employing the WIEN2k package. In order to study the electronic band structure and optical properties under nonhydrostatic lattice expansion, the crystal structures in the ab plane is expanded and the c axis is relaxed using the GGA functional according to Wu and Cohen. According to our results, slight lattice expansions cause a transition to topological semiconductor and during this transition the static dielectric constant increases smoothly and the main structures in imaginary part of dielectric function shift toward lower energies.