تاثیر عامل‌دار کردن لبه های نانونوار فسفرین زیگزاگی روی خواص الکترونیکی آن

در این مقاله، تاثیر عامل‌دار کردن لبه‌های نانونوار فسفرین زیگزاگی بر خواص الکترونیکی آن بررسی گردید. با توجه به نوع ماده‌ (h و o) و چیدمان آن روی لبه چهار ساختار تشکیل گردید. بین آنها دو ساختار، نیمه‌رسانا با گاف انرژی غیرمستقیم می‌باشد. یکی از ساختارها از هر دوطرف نانونوار با h عامل‌دار شده است (a1) و دیگری نیمه سمت چپ در دو طرف با o و در سمت راست هر دو طرف با h عامل‌دار شده است (a4.) به ترتیب دارای مقایر گاف انرژی ev 65/1 و ev 13/ است. اما دو ساختار دیگر رسانا هستند که در یکی هر دو طرف لبه ها با o عامل‌دار شده است (a2) و در دیگری یک طرف با h و طرف دیگر با o عامل‌دار شده است (a3). در بازه ولتاژ0 تا v 2 جریان بسیار کمی از دوساختار a1 و a4 نسبت به دو ساختار دیگر می‌گذرد که به دلیل وجود گاف انرژی است. برای این دوساختار در ابتدا جریان صفر و بعد از ولتاژ خاصی که به ترتیب برابر با v 6/1 و v 1 است، جریان شروع به افزایش می‌کند. صفر بودن جریان در ولتاژ کم این قابلیت را بوجود می‌آورد که بتوان قطعات الکترونیکی کم مصرف در این محدوده ولتاژ ساخت. پدیده جالب دیگر بوجود آمدن مقاومت منفی در برخی پتانسیل‌ها برای نمونه‌های a2 ، a3 وa4 است، که در حیطه صرفه‌جویی انرژی بسیار کاربرد دارد.

The effect of the functionalization of edges of the zigzag nanoribbon phosphorene on its electronic properties

In this paper, the effect of the functionalization of the zigzag phosphorene nanoribbon edges on its electronic properties is investigated. According to the type of the materials (H and O) and their arrangements on the edges, four structures are formed. Among them, two structures are semiconductors with indirect band gap. One of them have been functionalized with H on both edges of the nanoribbon (A1) and in the other one, both edges of the left side are functionalized with O and both edges of the right side are functionalized with H (A4) with values 1.65 eV and 0.13 eV, respectively. But two other structures are metals which one is functionalized with O in both edges (A2) and the other is functionalized with H in one edge and O in other edge (A3). In the range of voltage 0 to 2 V, there is a little current passed through the A1 and A4 in comparison to the other structures due to their band gaps. For these two structures, the current is zero up to special voltages 1.6 V and 1 V, and after that the current increases. The zero value of current makes the capability to fabricate low consumption electronic devices in this range of voltages. The other interesting phenomenon is the existence of the negative resistance for some potential for A2, A3 and A4 samples where it can be applicable in energy consuming.