|
|
|
|
مطالعه خواص اپتیکی نانوورقه p2sis : رهیافت نظریه تابعی چگالی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
بهزادی پروین ,کتابی احمد ,امیری پیمان
|
|
منبع
|
كنفرانس فيزيك ايران - 1399 - دوره : 36 - کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۹۹ - کد همایش: 99200-93529 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این مقاله خواص اپتیکی از جمله بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک ، ضریب شکست ، ضریب بازتاب و ضریب جذب نانوورقه p2sis مورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل بر پایه نظریۀ تابعی چگالی با تقریب شیب تعمیم یافته انجام گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می‌دهد که خواص اپتیکی این نانوورقه، به خصوص در اترژی‌های پایین و میانی، ناهمسانگرد است. عمده قله‌های قسمت موهومی تابع دی الکتریک برای راستای درون صفحه ای از انرژی های پایین تا حدود ev6 است که به انتقال‌های اپتیکی از si-p,p-pو si-s به si-pو s-s مربوط می‌شود. نتایج ما نشان می‌دهد که بیشترین بازتاب در راستای y در انرژی ev37/8 برابر با %77 است.
|
|
کلیدواژه
|
خواص اپتیکی ,نانوورقه ,p2sis ,نظریه تابعی چگالی
|
|
آدرس
|
دانشکده فیزیک، دانشگاه دامغان ،دامغان. school of physics damghan university damghan, دانشکده فیزیک، دانشگاه دامغان ،دامغان. school of physics damghan university damghan, گروه فیزیک ، دانشکده علوم ، دانشگاه شهید چمران اهواز. department of physics faculty of science shahid chamran university of ahvaz
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Study of optical properties of P2SiS nanosheet: Density functional theory method
|
|
|
|
|
Authors
|
Behzadi Parvin ,Ketabi Seyed Ahmad ,Amiri Peiman
|
|
Abstract
|
In this paper, the optical properties of P2SiS compound such as the real and imaginary parts of dielectric function, refractive index, extinction coefficient and absorption coefficient orthorhombic phase have been studied. The calculations have been performed useing the Pseudopotential method in the framework of density functional theory (DFT) with generalized gradient approximation (GGA). Our results show that The optical properties of this nanosheet especially in the lower and middle energies are anisotropic. The main peaks of imaginary part of dielectric function are for in-plane of low energies to about 6 eV which are related to optical transition from P-p,Si-p and Si-s to Si-p and S-s. Our results show that the highest reflectance in the y direction at energy of 8.37 eV is 77%.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|