بررسی اصول اولیه ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی نیمرسانای inn در فاز pnma

در این مقاله برخی ویژگی‌های الکترونی (چگالی حالت‌ها، ساختار نواری) و اپتیکی (تابع دی‌الکتریک، ضریب شکست، تابع اتلاف انرژی و بازتابش اپتیکی) نیمرسانای inn در فاز اورتورومبیک جدیداً پیش بینی شده با گروه فضایی pnma مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات به روش امواج تخت تقویت شده خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چهارچوب نظریه تابعی چگالی(dft) انجام شده است. نتایج الکترونی نشان می‌دهد که inn در این فاز یک نیمرسانا با گاف انرژی مستقیم در حدود ev0.96 است که از فاز وورتزایت آن اندکی بزرگتر است. نتایج اپتیکی نشان می‌دهد که ثابت دی‌الکتریک استاتیک، انرژی‌های پلاسمونی، ضریب شکست و ناهمسانگردی در فاز pnma از فاز وورتزایت inn تفاوت قابل ملاحظه‌ای دارد. برای inn در فاز pnma دو انرژی پلاسمونی به دست آمده است. میزان بازتابش اپتیکی در این فاز در اکثر بازه‌های انرژی کمتر از فاز وورتزایت است

First principles investigation of the electronic and optical properties of InN semiconductor in the Pnma phase

In this paper, some electronic (density of states, band structure) and optical properties (dielectric function, refractive index, energy loss function, and optical reflectivity) of InN, in new predicted orthorhombic phase with Pnma space group, have been investigated. The calculations are performed with the full-potential linearized augmented plane waves (FP-LAPW) in the density functional theory framework. The electronic results show that InN in the Pnma phase is a semiconductor with a direct band gap of 0.96eV which is larger than its Wurtzite phase. The optical results reveal that the static dielectric constant, plasmon energy, refractive index, and anisotropy in the Pnma phase are different in compare its Wurtzite phase. Two plasmon energies have been obtained for InN in the Pnma phase. The optical reflectivity of InN in this phase is less than its Wurtzite phase at most energy intervals.