|
|
مقایسه خواص الکترونیکی ابرشبکه لانهزنبوری متشکل از نقاط کوانتومی inas/gaas وگرافن طبیعی
|
|
|
|
|
نویسنده
|
عزیز آغچه قلعه ویگن ,منصوری مریم
|
منبع
|
كنفرانس فيزيك ايران - 1399 - دوره : 36 - کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۹۹ - کد همایش: 99200-93529 - صفحه:0 -0
|
چکیده
|
گرافن به خودی خود گاف نواری را که یک ویژگی حیاتی برای کاربردهای الکترونیکی است ندارد و نمیتواند رسانایی الکتریکی را متوقف و خاموش کند بنابراین نمی-توان از آن به عنوان سوییچ استفاده کرد. در یک ساختار گرافن دو بعدی با قرار دادن نقاط کوانتومی کروی یا بیضوی ساخته شده از مواد نیمهرسانا به جای اتمهای کربن میتوان یک ساختار گرافن مصنوعی ساخت و به این طریق میتوان گاف نواری مطلوب (با انتخاب نوع موادی که نقاط کوانتومی از آنها ساخته شده است) ایجاد کرد. و بدین طریق با انتخاب نوع مواد و تغییر ساختار هندسی میتوان مطالعات نظری روی خواص الکتریکی و نوری اینگونه ساختارها انجام داد و تاثیر عوامل مختلف خارجی را نیز به حساب آورد.
|
کلیدواژه
|
گرافن ,شبکه لانه زنبوری ,ابر شبکه ,نقاط کوانتومی ,11111
|
آدرس
|
دانشگاه صنعتی ارومیه. urmia university of technology, دانشگاه صنعتی ارومیه. urmia university of technology
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Comparison of electronic characteristics of honeycomb superlattice constructed InAs/GaAs quantum dots and natural graphene
|
|
|
Authors
|
Azizaghchegala Vigen ,Mansoury Maryam
|
Abstract
|
Graphene does not have a bandgap, which is a vital feature for electronic applications, and it cannot stop and turn off electrical conduction, so it cannot be used as a switch. In a two-dimensional graphene structure, by placing spherical or elliptical quantum dots made of semiconductor materials instead of carbon atoms, an artificial graphene structure can be constructed, and thus the desired bandgap can be created (by selecting the type of material). Which created quantum dots. Thus, by selecting the type of material and changing the geometric structure, theoretical studies on the electrical and optical properties of such structures can be presented and the effect of various external factors can be considered.
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|