بررسی تاثیر نقص تهی جای در افزایش مقاومت مغناطیسی یک شبکه دوبعدی

تغییرات بزرگ در مقاومت مغناطیسی یکی از موضوعات بنیادین تحقیقات از اواخر دهه هشتاد میلادی تاکنون بوده ‌است و همچنین یکی از جذاب ترین اکتشافاتی است که توانسته است فیزیک بنیادین و تکنولوژی را به هم پیوند دهد. محاسبه‌ی مقاومت مغناطیسی را می‌توان با استفاده از تقسیم‌بندی محیط به یک شبکه‌ی مقاومتی شامل مقاومت‌های چهار پایانه‌ای عمود بر یک میدان مغناطیسی خارجی انجام داد. در این مقاله با بهره گیری از مدل کلاسیکی شبکه‌ی مقاومتی، تغییرات مقاومت مغناطیسی در موردشبکه‌ی دو بعدی مربعی که دربر دارنده‌ی نقص تهی جای هستند، مورد بررسی قرار می‌گیرند. نتایج نشان می‌دهند که ایجاد نقص در نقاط خاصی از شبکه، می‌تواند باعث ایجاد قله‌های بزرگی در نمودار مقاومت مغناطیسی شود.

The investigation of the vacancy deficiencies effects on increasing the giant magnetoresistance in two dimensional networks

Giant magnetoresistance have been one of the basic subjects of researches since the late 1980s, and it is also one of the most fascinating discoveries that has combined fundamental physics and technology. The calculation of magnetoresistance can be done by dividing the system into homogeneous disks with four currents that are perpendicular to an external magnetic field. In this paper the magnetoresistance of a defected conductor investigated by using the classical resistor network model. The results show that deficiencies in the specified points of the network can be lead to large peaks.