اسیلاتور حلقوی کنترل شده با ولتاژ با ترکیب تکنیک های بایاس مستقیم بالک و کنترل جریان فرکانس نوسان با تنظیم محدوده فرکانسی وسیع برای کاربردهای تشخیص اهداف زنده پشت دیوار

سیستم های بی سیم کاربردهای مهمی در بخش های مختلف علمی از جمله کاربردهای پزشکی و حوزه های نظامی دارند. در این مقاله، یک اسیلاتور کنترل ولتاژ حلقوی با ترکیب تکنیک های بایاس مستقیم بالک و کنترل جریان فرکانس نوسان و قابلیت تنظیم در محدوده فرکانسی وسیع برای کاربردهای تشخیص اهداف زنده پشت دیوار پیاده سازی شده است. در این مقاله سه ساختار جدید برای بهبود نویز فازی و محدوه فرکانسی پیشنهاد شده است. شبیه سازی‌های مربوط به مدار پیشنهادی اول در تکنولوژی 0.18 µm cmos با استفاده از تکنیک بایاس ولتاژ بالک نشان می‌دهند که مقدار نویز فاز در فرکانس mhz1 برابر با -138dbc/hz و توان مصرفی آن -45db با محدوه فرکانسی 2 تا 12 گیگاهرتز می باشد که بیانگر کارایی مدارارائه شده می‌باشد. در ساختار پیشنهادی دوم، با استفاده از سلف در درین ترانزیستورهای کنترل، محدوده فرکانسی بهبود یافته است. شبیه سازی‌های مداری ساختار دوم نشان می‌دهند که نویز فاز برای این مدار برابر -123.26dbc/hz و محدوده فرکانسی بین 6 تا 16 گیگاهرتز با توان مصرفی -90db می باشد. با ترکیب دو مدار اول و دوم مدار دیگری پیشنهاد گردید که دارای محدوده فرکانسی وسیعتر 7 تا 22 گیگاهرتز می باشد. نتایج شبیه سازی نشان می‌دهند که سه مدار پیشنهاد شده عملکرد بسیار بهتری نسبت به مدارهای قبلی دارد. در این مقاله تحلیل و شبیه سازی همه نتایج با نرم افزار (ads) advance design system انجام شد.

a voltage-controlled ring oscillator with combined techniques of direct bulk bias and oscillating frequency current control with frequency range tuning for behind-the-wall live detection applications

wireless systems have important applications in various scientific fields, including medical applications and military fields. in this paper, a ring voltage control oscillator is implemented by combining direct bulk biasing techniques and oscillating frequency current control and tunability in a wide frequency range for behind-the-wall live target detection applications. in this paper, three new structures are proposed to improve phase noise and frequency limitation. the simulations related to the first proposed circuit in 0.18µm cmos technology using bulk voltage bias technique show that the amount of phase noise at 1 mhz frequency is equal to -138dbc/hz and its power consumption is -45db with a frequency range of 2 to 12 gigahertz, which represents the efficiency of the provided circuit. in the second proposed structure, by using the inductor in these control transistors, the frequency range has been improved. circuit simulations of the second structure show that the phase noise for this circuit is equal to -123.26dbc/hz and the frequency range is between 6 and 16 ghz with a power consumption of -90db. by combining the first and second circuits, another circuit was proposed, which has a wider frequency range of 7 to 22 ghz. the simulation results show that the three proposed circuits have a much better performance than the previous ones. in this article, all the results were analyzed and simulated with advance design system (ads) software.