|
|
|
|
مدار مرجع ولتاژ با توان مصرفی کم مورد استفاده در تگ‌های غیرفعال rfid
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
رعیت حسین ,داستانیان رضوان
|
|
منبع
|
فناوري اطلاعات و ارتباطات انتظامي - 1400 - دوره : 2 - شماره : 3 - صفحه:129 -137
|
|
چکیده
|
در جهت افزایش بازه کد خوانی و کنترل از فاصله دورتر، می‌بایست بلوک های موجود بر روی تراشه تگ rfid مصرف توان کمی داشته باشند. در این مقاله یک مدار مرجع ولتاژ با ولتاژ تغذیه 1v به عنوان یکی از بلوک های مهم در تگ rfid برای کاربردهای پلیس هوشمند ارائه شده است. در ساختار مرجع ولتاژ پیشنهادی ترانزیستورهای ماسفت در ناحیه زیرآستانه هدایت شده‌اند. برای تولید ولتاژ معکوس با دمای مطلق (ctat)، از ولتاژ یک اتصال pn (pn junction) که توسط یک ترانزیستور pmos ایجاد شده و بخشی از مدار بایاس می‌باشد، استفاده شده است. جهت دستیابی به ولتاژ مرجع خروجی در حدود 753mv، دو طبقه ولتاژ متناسب با دمای مطلق(ptat) تفاضلی به ولتاژ ctat اضافه شده و یک ولتاژ مرجع با حداقل وابستگی به دما را ایجاد می‌کنند. مرجع ولتاژ پیشنهادی در فرآیند 0.18 میکرومتر cmosشبیه‌سازی و مساحت جانمایی آن 0.0064 میلی متر مربع محاسبه شده است. نتایج شبیه‌سازی پساجانمایی نشان می‌دهد که در بازه دمایی 0 تا 110 درجه سانتیگراد ضریب دمایی (tc)، ℃/19.7 ppm حاصل می‌شود. تنظیم خط (lr) در محدوده ولتاژ تغذیه 0.8v تا 1.2v برابر با 0.058 درصد بر ولت است. همچنین جریان مصرفی مرجع ولتاژ 13.2na بدست آمده است.
|
|
کلیدواژه
|
ولتاژ مرجع، توان مصرفی، ناحیه زیرآستانه، ضریب دمایی، شناسایی امواج رادیویی
|
|
آدرس
|
دانشگاه صنعتی خاتم الانبیاء بهبهان, دانشکده فنی و مهندسی, ایران, دانشگاه صنعتی خاتم الانبیاء بهبهان, دانشکده فنی و مهندسی, گروه مهندسی برق, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
dastanian@bkatu.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
A Low Power Consumption Voltage Reference Circuit for Passive RFID Tags
|
|
|
|
|
Authors
|
Rayat Hosein ,Dastanian Rezvan
|
|
Abstract
|
In order to increase the reading range and remote control, the blocks on the RFID tag should be designed in a way that they dissipate lower power. In this paper, a voltage reference circuit with 1 V supply voltage for smart police applications is presented. In the proposed voltage reference structure, MOSFET transistors biased in the subthreshold region. To generate complementary to absolute temperature voltage (CTAT), the voltage of a pn junction (PN junction) generated by a PMOS transistor To achieve the reference voltage of about 753 mV, two proportional to absolute temperature voltage (PTAT) stages are added to the CTAT voltage to create a reference voltage with a minimum temperature dependence. The voltage reference is simulated in the 0.18 μm standard CMOS technology and its area occupation is 0.0064 mm2. The results from postlayout simulation show that in the temperature range of 0°C to 110 °C, the temperature coefficient (TC) is 19.7 ppm/°C. The line regulation (LR) under supply voltage variation from 0.8 V to 1.2 V is equal to 0.058 %/ V. Also, the current consumption of voltage reference is obtained 13.2 nA.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|