|
|
تقویت موضعی میدان الکتریکی در طیف سنجی رامان تقویتشده با تیپ با استفاده از نور قطبیده خطی
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9920155787.1399.27.1.133.6
|
نویسنده
|
نوری عادله ,بحرینی مریم ,عارف هاشم
|
منبع
|
كنفرانس اپتيك وفوتونيك و كنفرانس مهندسي و فناوري فوتونيك ايران - 1399 - دوره : 27 - بیست و هفتمین کنفرانس اپتیک وفوتونیک و سیزدهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران - کد همایش: 99201-55787 - صفحه:750 -754
|
چکیده
|
در این مقاله از محاسبات تفاضل محدود در حوزه ی زمان (fdtd) برای تخمین شدت و توزیع میدان الکتریکی بصورت موضعی تقویت شده در طیف سنجی رامان تقویت شده با تیپ (ters) در مجاورت تیپ نقره ای با قطر حداکثر 10 نانومتر استفاده شده است. از شبیه سازی ها برای پیش بینی شدت و توزیع میدان الکتریکی بصورت تقویت شده موضعی در طیف سنجی رامان تقویت شده با تیپ (ters) استفاده می شود. میدان الکتریکی تقویت شده ناشی از یک نور قطبیده ی خطی در دو پیکر بندی(ters)با زیر لایه و بدون زیر لایه در کنار هم مقایسه شده است. برای این منظور، یک منبع نور قطبیده خطی در مدل سازیfdtd بکار رفته است.علاوه بر این، تاثیر استفاده از یک لایه محافظ نازک آلومینا در میزان تقویت میدان الکتریکی بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که استفاده از یک لایه نازک از جنس طلا به عنوان یک بستر برای اندازهگیریters ، میتواند افزایش قابل توجهی در حساسیت به دست دهد. علاوه بر این، نتایج نشان می دهد که اضافه کردن یک لایه محافظ نازک به تیپters، شدت میدان الکتریکی را کاهش می دهد.
|
کلیدواژه
|
تقویت میدان الکتریکی، طیف سنجی رامان تقویت شده با تیپ، تفاضل محدود در حوزه ی زمان
|
آدرس
|
دانشگاه قم, ایران, دانشگاه علم و صنعت, ایران, دانشگاه قم, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Localized enhancement of electric field in tipenhancedRaman spectroscopy using linearly polarized light
|
|
|
Authors
|
|
Abstract
|
Finite-Difference Time-Domain (FDTD) calculations are used estimate the electric field in the vicinity of a sharp silver conewith an apex diameter of 10 nm. The simulations are utilized to predict the intensity and the distribution of the locally enhanced electric field in Tip-Enhanced Raman Spectroscopy (TERS). A side-by-side comparison of the enhanced electric field induced by a linearly polarized light in both gap-mode and conventional TERS setup is performed. For this purpose, a linearly polarized source is introduced and integrated into the FDTD modelling. Additionally, the optical effect of a thin protective layerof alumina on the enhancement of the electric field is investigated.Results show that by utilizing a thin film of as a substrate for TERSmeasurements, a considerable increase in the sensitivity can be achieved. Additionally, results show that adding a thin protective layer to the TERS tip decreases the intensity of the electric field.
|
Keywords
|
تقویت میدان الکتریکی، طیف سنجی رامان تقویت شده با تیپ، تفاضل محدود در حوزه ی زمان
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|