تاثیر ضخامت های ماده tpd بر روی عملکرد دیودهای نورگسیل آلی

در این پژوهش تاثیر ضخامتهای ماده (nm40، nm53، nm60، nm94 و nm105) tpd به عنوان لایه انتقال دهنده حفره بر روی عملکرد دیودهای نورگسیل آلی مورد بررسی قرار می گیرد. به منظور ساخت دیودهای نورگسیل آلی از روش تبخیر گرمایی استفاده شده است و مشخص شده است که اگر ضخامت tpd از nm40 به nm53 و سپس به nm60، nm94 و nm105 افزایش یابد، مشخصات چگالی جریان-لومینسانس-ولتاژ برای صخامت nm53 در ولتاژهای پایین تر و برای ضخامتهای دیگر در ولتاژهای بالاتر ظاهر می شوند.  ولتاژ عملکرد و ولتاژ تحریک برای ضخامت nm94 بیشترین مقدار است و با تغییر ضخامت tpd  از nm60 به nm105 ،  nm40 و nm53 بترتیب کاهش می یابد.  همچنین ضخامت tpd بر روی مشخصات بازده جریان و بازده توان دیودهای نورگسیل آلی تاثیر می گذارد بطوریکه این کمیتها بترتیب برای ضخامت های nm60 و nm94 مربوط به ضخامت tpd بیشینه می باشند.

Influence of TPD thicknesses on the performance of organic light-emitting diodes (OLEDs)

Abstract- In the present work, the influence of the N,N’ –Bis(3-methylphenyl)-N,N’ –bis(phenyl) benzidine (TPD)-like diamine thicknesses (40nm, 53nm, 60nm, 94nm and 105nm), as a hole transport layer (HTL) on the performance of organic light-emitting diodes (OLEDs) has been investigated. For fabrication of the OLED devices, thermal evaporation method has been used and it is revealed that if the thickness of TPD increases from 40 nm to 53nm and then to 60nm, 94nm and 105 nm, the current density-luminance-voltage characteristics for TPD thickness of 53nm (at voltages lower than 15 V) appear at lower voltages and for other thicknesses appear at higher voltages. So that the driving voltage and operating voltage are the highest for TPD thickness of 94nm and these quantities are decreasing for TPD thickness from 60nm to 105nm, 40nm and 53nm respectively. Also the thickness of TPD affects on current efficiency and power efficiency characteristics of OLED devices, So that these quantities are the highest for devices with TPD thickness of 60nm and 94 nm respectively.