انباشت بخار فیزیکی نانوساختارهای مولیبدن دی سولفید در فشارهای متفاوت با نرم افزارکامسول

شبیه سازی نانوساختارهای mos2 با روش انباشت تبخیر فیزیکی و با استفاده از نرم افزار کامسول انجام شده است. هندسه دو بعدی با تقارن محوری برای بهینه سازی زمان شبیه سازی ترسیم گردید. در این شبیه سازی، با تغییر فشار، ضخامت لایه های mos2 اندازه گیری شد و مقدار بهینه فشارگاز آرگون در دمای ثابت برای به وجود آمدن تک لایه های mos2 به دست آمد. نرخ لایه نشانی بر روی زیرلایه و دیواره اتاقک خلاءء به دست آمد. همچنین در فشار بهینه شار مولکولی نانوذرات mos2 بر روی زیرلایه نیز محاسبه شد.  این لایه ها درساخت ابزارهای مرتبط به حوزه نانوالکترونیک و اپتوالکترونیک کاربرد بسیاری دارند.

Physical Vapor Deposition of MoS2 Nano Structures in the Different Pressures by COMSOL Multiphysics

Vapor deposition method was used for the simulation of MoS2 nano structures by COMSOL Multiphysics. Optimum simulation time has been achieved by a two-dimensional axisymmetric geometry. In this work, the thickness of MoS2 thin films was measured in the different pressures, and the optimum Ar pressure for monolayer MoS2 in the constant temperature has been determined. Growth rate has been obtained on the chamber walls and on the substrate. Also, Incident molecular flux for the optimum pressure have been computed on the substrate. These thin films have enormous potentials in the next generation of nanoelectronic and optoelectronic devices.