|
|
|
|
بررسی مشخصات اپتوالکترونیکی دیود نور گسیل آلی مبتنی بر ساختار ito/moo3/npb/alq3:dcjtb/alq3/lif/al
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9920155787.1399.27.1.59.2
|
|
نویسنده
|
عباسی فاطمه ,قرشی محمدباقر ,کریم زاده المیرا
|
|
منبع
|
كنفرانس اپتيك وفوتونيك و كنفرانس مهندسي و فناوري فوتونيك ايران - 1399 - دوره : 27 - بیست و هفتمین کنفرانس اپتیک وفوتونیک و سیزدهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران - کد همایش: 99201-55787 - صفحه:581 -584
|
|
چکیده
|
در این تحقیق، ویژگی های اپتوالکترونیکی دیود نور گسیل آلی با ساختار ito/moo3/npb/alq3:dcjtb/alq3/lif/al شبیه سازی شده است. دیودهای نور گسیل آلی با لایه میزبان-مهمان (alq3:dcjtb) با نرم افزار apsys (advanced physical model of simulation devices) مورد بررسی قرار گرفتند. طول موج نشر در 520 نانومتر برای نمونه مرجع (بدون مهمان) ظاهر شد. پس از آن تاثیر حضور لایه میزبان-مهمان (alq3:dcjtb) با درصد وزنی های 0، 1، 5 و 10 در این ساختار مورد بررسی قرار گرفت. نتایج شبیه سازی نشان دادند که استفاده از لایه میزبان-مهمان (alq3:dcjtb) طول موج نشر را به 630 نانومتر انتقال می دهد. همچنین نمونه ای با 5 درصد وزنی ماده مهمان dcjtb دارای بازدهی جریان بهتر نسبت به نمونه مرجع شد. منشا فیزیکی عملکرد نوری بهبود یافته برای دیودهای نور گسیل آلی با حضور ساختار میزبان-مهمان (alq3:dcjtb) می تواند به دلیل افزایش الکترون ها و حفره ها در رابط بین لایه های alq3: dcjtb و alq3 باشد،که این امر منجر به افزایش نرخ بازترکیبی تابشی و بهبود بازدهی جریان می شود.
|
|
کلیدواژه
|
الکترولومینسانس، دیود نور گسیل آلی، شبیه سازی، میزبان-مهمان، نور قرمز
|
|
آدرس
|
دانشکده لیزر و فوتونیک دانشکده فیزیک دانشگاه کاشان، کاشان, ایران, دانشکده لیزر و فوتونیک دانشکده فیزیک دانشگاه کاشان، کاشان, ایران, گروه مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Investigation of Optoelectronic Characteristics of Organic Emission Diode Based on ITO/MoO3/NPB/Alq3: DCJTB/Alq3/LiF/Al Heterostructure
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
Abstract- In this research, optoelectronic properties of OLED structure consisting ITO/MoO3/NPB/Alq3: DCJTB/Alq3/LiF/Al layers was investigated. OLEDs with host-guest layer (Alq3: DCJTB) were simulated with the APSYS (abbreviation of Advanced Physical Model of Simulation Devices) simulation program. In reference sample (without guest), the emission wavelength was appeared at 520 nm. Then, the effect of the presence the guest in host layer (Alq3: DCJTB) with different weight percent (1, 5 and 10 %w) was simulated. The results were showed that the emission wavelength was shifted to 630 nm. Also, the OLED structure with Alq3: DCJTB (5%w) layer had a better current efficiency than other samples. Improvement of optical performance of the host-guest OLED structures is due to the increase of electrons and holes between Alq3: DCJTB and Alq3 layers which lead to raise the radiative recombination rate and improve current efficiency.
|
|
Keywords
|
الکترولومینسانس، دیود نور گسیل آلی، شبیه سازی، میزبان-مهمان، نور قرمز
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|