|
|
طراحی و شبیه سازی مدولاتور ماخ-زندر مبتنی بر پلاسمونیک
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9920155787.1399.27.1.89.2
|
نویسنده
|
باطومچی فرزاد ,عابدی کامبیز
|
منبع
|
كنفرانس اپتيك وفوتونيك و كنفرانس مهندسي و فناوري فوتونيك ايران - 1399 - دوره : 27 - بیست و هفتمین کنفرانس اپتیک وفوتونیک و سیزدهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران - کد همایش: 99201-55787 - صفحه:236 -240
|
چکیده
|
در این مقاله با استفاده از روش تفاضل محدود، مدولاتور ماخ – زندری مبتنی بر فوتونیک سیلیکونی که از طلا به عنوان کاتد و آند بازوهای مدولاتور ماخ-زندری استفادهشده، طراحی و شبیهسازی شدهاست. افزایش جذب، کاهش تلفات الحاقی و ولتاژ بایاس ساختار ماخ-زندری برای همسویی با سیستمهای cmos امری بسیار مهم در طراحی چنین افزارههایی میباشد. در این مقاله با استفاده از جذب بالای پلاسمونیکی طلا، تلفات الحاقی افزاره شبیهسازی شده تا 1.26 دسیبل بر سانتیمتر به ازای ولتاژ بایاس معکوس 0.5 ولت کاهش یافته است. طیف انتقال و جذب مدهای ساختار در اطراف طولموج مخابراتی 1550 نانومتر و تغییر فاز خروجی از 0.0614- تا 0.1701 رادیان نسبت به تغییر ولتاژ بایاس معکوس اعمالی که منجر به مدولاسیون فازمیشود، نیز نشان دادهشده است.
|
کلیدواژه
|
پلاسمونیک،سیلیکون فوتونیک،مدولاسیون الکترواپتیکی،مدولاتور ماخ-زندر،ولتاژ بایاس کم
|
آدرس
|
دانشگاه شهید بهشتی, ایران, دانشگاه شهید بهشتی, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Design and analysis of Mach-Zehnder modulator based-on plasmonic
|
|
|
Authors
|
|
Abstract
|
In this paper, using the Finite Difference Eigenmode , the Mach-Zendri modulator based on silicon photonics, which uses gold as the cathode and anode of the Mach-Zenderi modulator arms, is designed and simulated. Increasing absorption, reducing additional losses and bias voltage Mach Zander structure is very important for compatibility with CMOS processes in the design of such devices. In this paper, using the high plasmonic absorption of gold, the simulated add-on losses are reduced to 1.26 dB / cm by 0.5 V reverse bias voltage. The spectra of transmission and absorption of structure modes around the telecommunication wavelength of 1550 nm and the change of the output phase from -0.0614 to 0.1701 radians with respect to the change of reverse bias voltage of the actions leading to phase modulation are also shown.
|
Keywords
|
پلاسمونیک،سیلیکون فوتونیک،مدولاسیون الکترواپتیکی،مدولاتور ماخ-زندر،ولتاژ بایاس کم
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|