تاثیر ترمیم سطح آند توسط پلاسمای اکسیژن بر روی عملکرد دیود نور گسیل آلی

به طور کلی پیش ترمیم سطح اکسید ایندیوم آلاییده با قلع (ito) برای بهبود تزریق بار و عملکرد قطعه در ساخت دیودهای نور گسیل آلی اتخاذ شده است. در این پژوهش، لایه های ito توسط پلاسمای اکسیژن تحت توان 80 وات به مدت 4، 6 و 8 دقیقه ترمیم شدند. ترمیم لایه های ito سبب بهبود ساختار، کاهش متوسط اندازه نانو بلورکها و کاهش زبری سطح آنها شد. لایه های ito در ساخت دیود با ساختار glass/ito/pedot:pss/alq3/al بکار گرفته شدند. ترمیم لایه های ito سبب کاهش ولتاژ آستانه و افزایش شدت نور گسیلی دیودها شده است.

The effect of anode surface treatment by oxygen plasma on the performance of organic light emitting diodes

Pretreatment of the indium tin oxide (ITO) surface is generally adopted to improve the charge injection and device performance in the fabrication of organic light-emitting diodes. In this study, the ITO films were terminated by 80 w on oxygen plasma for 4, 6 and 8 min. The treatment of ITO films improved the structure, reduced the average size of nanocrystals and reduced their surface roughness. The ITO films were used in the fabrication of the diode with Glass/ITO/PEDOT:PSS/Alq3/Al structure. The treatment of ITO films has reduced the threshold voltage and increased the light intensity of the diodes.