|
|
|
|
سنجش کیفیت باریکه لیزر نیمه‌هادی 808 نانومتر inalgaas/algaas
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9920155787.1399.27.1.24.7
|
|
نویسنده
|
عباسی پیمان ,گیوکی هومن ,رازقی فاطمه
|
|
منبع
|
كنفرانس اپتيك وفوتونيك و كنفرانس مهندسي و فناوري فوتونيك ايران - 1399 - دوره : 27 - بیست و هفتمین کنفرانس اپتیک وفوتونیک و سیزدهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران - کد همایش: 99201-55787 - صفحه:805 -808
|
|
چکیده
|
واگرایی بزرگ، عدم تقارن پروفایل میدان دور و نزدیک و آستیگمات بودن باریکه به کارگیری آن را نسبت به باریکه لیزرهای دیگر دشوار می‌سازد. لذا به‌کارگیری باریکه لیزر نیمه هادی در کاربردهای مختلف مستلزم شکل‌دهی باریکه و یاتزویج باریکه به فیبر نوری است. در این تحقیق با بکارگیری ساختار نامتقارن و افزایش ضخامت لایه موجبر با کنترل مدهای عرضی بدون کاهش کیفیت باریکه، واگرایی کاهش پیدا کرده است. همچنین در این نوشتار چیدمانی برای اندازه گیری کیفیت باریکه معرفی شده است که با تقریب بسیار مناسبی قابلیت به کارگیری را داراست.
|
|
کلیدواژه
|
لیزر نیمه‌هادی ، ساختار نامتقارن ، کیفیت باریکه ، واگرایی محور تند
|
|
آدرس
|
مرکز ملی لیزر ایران, ایران, مرکز ملی لیزر ایران, ایران, مرکز ملی لیزر ایران, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Measurement of 808nm InAlGaAs/AlGaAs Diode Lasers Beam Quality
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
Large divergence, asymmetry of the near and far field profiles, and astigmatism of the laser diode beam are reason of make it more difficult to apply than other beam lasers. The use of semiconductor laser beams in various applications requires the beam shaping and fiber coupling of beam. In this research, divergence was reduced by using asymmetric structure and increasing the thickness of the waveguide layer by controlling the transverse modes without reducing the beam quality. Also in this paper, an arrangement for measuring the beam quality is introduced, which can be used with a very suitable approximation.
|
|
Keywords
|
لیزر نیمه‌هادی ، ساختار نامتقارن ، کیفیت باریکه ، واگرایی محور تند
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|