تولید پالس کوتاه درلیزردیودهای لبه گسیل 980 نانومتر به روش سوییچ بهره

مدولاسیون لیزر نیمه هادی توان بالا دارای اهمیت کاربردی گسترده است. تحقیقات گسترده‌ای در زمینه تولید پالس‌های کوتاه با انرژی بالا در حال انجام است. در این مقاله با به‌کارگیری ساختار نامتقارن، میدان اپتیکی به سمت بخش n جابجا شده و اتلاف داخلی لیزر کاهش یافته است. این کاهش اتلاف همراه با به‌کارگیری لایه های با ضریب شکست بالا در موجبر بخشn  و افزایش طول عمر فوتون، امکان استفاده از روش سوییچ بهره برای تولید پالس‌های با پهنای چند صد پیکوثانیه در لیزرهای دیودی لبه گسیل را فراهم می‌آورد.  در این مقاله با بررسی تابع پالس مناسب، محدودیت اعمال جریان بیشینه مورد تحقیق قرار گرفته و نهایتاً  پالس کوتاه 80 پیکو ثانیه (fwhm) و توان 2/3 وات فراهم شده است.

Short Pulse Generations in 980nm Edge Emitting Diode Laser with Gain ‎Switching Method

High power semiconductor laser modulation is of great practical importance.  Extensive research has been done to produce high energy short pulses. In this study by using an asymmetric structure, the optical field is shifted to n-section and the internal loss of the laser is reduced. This reduction in loss, and also applying high refractive index layers in n-section and increasing photon lifetime, makes it possible to use the gain switching method to generate several picoseconds optical pulses in edge emitting lasers. In this study, by investigating the appropriate pulse function, the maximum current limit is investigated and finally a short pulse of 80 ps (FWHM) and optical power of 3.2 W is created.