بررسی عددی اثر دماو ضخامت لایه جاذب برعملکرد سلول خورشیدی پروسکایتی mapbi3
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9920155787.1399.27.1.197.0
|
نویسنده
|
مالکی حامد ,موسوی دهویی محدثه
|
منبع
|
كنفرانس اپتيك وفوتونيك و كنفرانس مهندسي و فناوري فوتونيك ايران - 1399 - دوره : 27 - بیست و هفتمین کنفرانس اپتیک وفوتونیک و سیزدهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران - کد همایش: 99201-55787 - صفحه:667 -670
|
چکیده
|
– یکی از اجزای ا صلی در سلولهای خور شیدی پرو سکایتی الیه جاذب پرو سکایت ا ست که در این پژوهش از mapbi3 به عنوان این الیه استفاده شد. در این مطالعه ابتدا سلول خورشیدی مورد نظر با استفاده از بسته محاسباتی 1d-scaps طراحی شد و اثر ضخامت الیه جاذب و دمای سلول خور شیدی بر عملکرد سلول مورد مطالعه قرار گرفتند. در شرایط بهینه بازده 36/15 % برای سلول خور شیدی au/cu2o/mapbi3/sno2/fto بد ست آمد. همچنین افزایش دما باعث کاهش بازده در سلول خور شیدی مورد نظر گردید.
|
کلیدواژه
|
سلول خورشیدی پروسکایتی، لایه جاذب، اثر ضخامت، شبیه سازی، اسکپس
|
آدرس
|
دانشگاه شهید باهنر کرمان, ایران, دانشگاه شهید باهنر کرمان, ایران
|
|
|
|
|
|
|