روش المان محدود توسعه یافته در میدانهای الکترومغناطیسی

در این مقاله، اصول اساسی روش المان محدود توسعه یافته در تحلیل میدان الکترومغناطیسی بررسی میشود. اینروش، تقریب نسبتاً دقیقی را برای ویژگیهای موضعی ناهموار در داخل المان محدود مانند تکینگیها، ناپیوستگیها ومشتقات زیاد فراهم میآورد. به منظور بهبود تقریب روش المان محدود متداول، یک تابع غنیسازی جایگزین معرفی شدهاست، به طوریکه راهحلهای ناهموار، مستقل از شبکه مدلسازی شدهاند. روش تنظیم سطح برای توصیف سطوح مشترکدر بین مواد مختلف بهکار گرفته شده است. برای نشان دادن مزایا، حل میدان الکتریکی یک بُعدی با روش المان محدو دتوسعه یافته و روش متداول، مقایسه شده است.