بررسی تاثیر دمای بستر بر خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید مس

در این پژوهش لایه های اکسید مس (cuo) به روش کندوپاش واکنشی روی زیرلایه های شیشه ای در دمای اتاق، oc 350 و 450 لایه نشانی شده اند. فرایند لایه نشانی در فشار 2- 10 ×1 تور و نسبت گازهای ar:o2 به ترتیب برابر 2:1 انجام شد. برای مشخصه یابی و ارزیابی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید مس از دستگاه پراش اشعه ایکس (xrd) و دستگاه طیف سنج uv-vis استفاده شد. نتایج xrd نشان می دهد که افزایش دمای زیرلایه سبب رشد در جهت گیری های ترجیحی مختلف و افزایش اندازه کریستالیت ها از nm 19 به nm 38 می گردد. همچنین، نتایج طیف های اپتیکی نیز نشان دهنده کاهش گاف نواری لایه ها، با افزایش دمای زیرلایه است.