رشد ساختار ستاره‌ای‌شکل فیلم‌های نازک cdte بر روی بستر سیلیکونی به روش لایه‌نشانی شیمیایی
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9819033660.1399.1.1.9.3
|
|
نویسنده
|
دستگاهی محمد مهدی ,روشندل بناء محمود ,روشندل بناء مهدی
|
|
منبع
|
همايش ملي تحقيقات نوين در مهندسي برق - 1399 - دوره : 1 - اولین دوره همایش ملی تحقیقات نوین در مهندسی برق - کد همایش: 98190-33660
|
|
چکیده
|
لایه‌های نازک cdte به روش لایه‌نشانی شیمیایی (روش رشد محلولی)، با استفاده از شیشۀ سیلیکونی به‌عنوان بستر در دمای پایین و به‌وسیلۀ استات کادمیم و دی‌اکسید تلوریوم آماده‌سازی شدند. مشخصه‌یابی، با استفاده از پراش اشعۀ ایکس، میکروگراف‌های میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، اسپکتروفوتومتر نوری و تحلیل کمّی، با استفاده از تحلیل پراش انرژی اشعۀ ایکس (edax) صورت گرفت. بررسی پراش اشعۀ ایکس، ساختار ستاره ای شکل را نشان می‌دهد. گاف نواری محاسبه‌شده از طیف‌های نوری، 44/1 الکترون‌ولت به دست آمد. پیک‌های edax، وجود تلوریوم و کادمیم در لایۀ نازک ستاره ای شکل cdte را نشان می‌دهند.
|
|
کلیدواژه
|
پراش اشعۀ ایکس ,فیلم‌های نازک ,لایه‌نشانی شیمیایی ,میکروسکوپ الکترونی روبشی
|
|
آدرس
|
مرکز تحقیقات مواد و انرژی دانشگاه آزاد اسلامی واحد دزفول, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد دزفول, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد دزفول, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|