مدل سازی مداری حسگر زیستی ph مبتنی بر افزاره‌ی isfet و بررسی اثر دمایی، ضخامت اکسید گیت و نوع محلول بر رفتار الکتریکی آن
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9820090972.1399.1.1.5.9
|
|
نویسنده
|
قبادی زهرا ,گندم کار مجتبی
|
|
منبع
|
كنفرانس ملي پژوهش هاي نوين در مهندسي پزشكي - 1399 - دوره : 1 - اولین دوره کنفرانس ملی پژوهش های نوین در مهندسی پزشکی - کد همایش: 98200-90972
|
|
چکیده
|
در طول سال‌های اخیر علاقه زیادی به توسعه سنسورهای بیوالکترونیک مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون isfet)، ایسفت) نشان داده شده است. سنسورهای مبتنی بر تراتزیستورهای اثر میدان حساس به یون، بیشتر برای اندازه‌گیری ph مورد بررسی قرار می‌گیرند. عملکرد یک حسگر ایسفت، به فعل و انفعالاتی بستگی دارد که در سطح یونی در ناحیه گیت رخ می‌دهد و در واقع نوعی تشخیص دهنده یونی نیم‌رسانا است. در این مقاله افزاره ایسفت با استفاده از مدل مبنایی ماسفت مدل‌سازی می‌شود. ابتدا اثر دو محلول متفاوت kcl-sol و nacl-sol بر رفتار الکتریکی ایسفت در محیط‌های با ph مختلف بررسی می‌شود و نتیجه می‌گیریم در این افزاره به ازای کاهش ph جریان افزایش می‌یابد و به ازای یک ph ثابت محلول kcl-sol جریان دهی بیشتری نسبت به nacl-sol دارد. در ادامه اثر ضخامت اکسید گیت () و اثر دما را بر رفتار الکتریکی ایسفت بررسی می‌کنیم. مشاهده می‌شود با افزایش ضخامت اکسید گیت و افزایش دما مقدار جریاندهی و در نتیجه حساسیت افزاره به ph کم‌تر می‌شود.
|
|
کلیدواژه
|
ترانزیستور اثر میدان حساس به یون ,زیست حسگرها ,شبیه‌سازی عددی ,الکترود مرجع ,حسگر
|
|
آدرس
|
دانشگاه صنعتی جندی شاپور دزفول, ایران, دانشگاه صنعتی جندی شاپور دزفول, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|