|
|
|
|
اثر تغییر فشار جزیی اکسیژن بر ضریب شکست و ساختار لایه های sio2
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9819039806.1398.9.1.59.9
|
|
نویسنده
|
anaraki mehdi ,انارکی مهدی ,رحیم زاده نازلی ,rahimzade nazli ,mashayekhi asl ali ,مشایخی اصل علی ,mashayekhi asl jahanbakhsh ,مشایخی اصل جهانبخش
|
|
منبع
|
كنفرانس ملي خلا ايران - 1398 - دوره : 9 - نهمین کنفرانس ملی خلأ ایران - کد همایش: ۹۸۱۹۰-۳۹۸۰۶ - صفحه:26 -29
|
|
چکیده
|
در این مطالعه لایه های نازک sio2 در فشارهای جزیی اکسیژن متفاوت با استفاده از روش تبخیر الکترونی بر روی زیرلایه bk7 لایه نشانی شد. طیف عبور نمونه ها اندازه گیری و با استفاده از مهندسی معکوس ضریب شکست sio2 محاسبه شد. در ادامه زبری سطح نمونه ها با استفاده از آنالیز afm اندازه گیری شد. نتایج نشان داد که با افزایش فشار جزیی اکسیژن ضریب شکست sio2 کاهش پیدا می کند و در عین حال زبری سطح تغییری نمی کند.
|
|
کلیدواژه
|
تبخیر باریکه الکترونی ,زبری سطح ,sio2
|
|
آدرس
|
مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران, ایران, مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران, ایران, مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران, ایران, مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران, ایران, مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران, ایران, مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران, ایران, مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران, ایران, مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Partial pressure effect on refractive index and structure of SiO2 films
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
In this study SiO2 films at different oxygen partial pressure was deposited on BK7 substrate by the electron beam evaporation method. A transmittance spectrum of the samples was measured and refractive index of the SiO2 was calculated by reverse engineering. Surface roughness was measured by the AFM analysis. Results showed that refractive index of the SiO2 reduces as the oxygen partial pressure increases but the surface roughness doesn’t change
|
|
Keywords
|
تبخیر باریکه الکترونی ,زبری سطح ,SiO2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|