|
|
|
|
خواص اپتیکی لایه‌های نازک کاربید سیلیکون تهیه شده به روش رسوب بخار شیمیایی با سیم داغ
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9819039806.1398.9.1.49.9
|
|
نویسنده
|
fakhredin mehrnoosh ,فخرالدین مهرنوش ,shariatmadar tehrani fatemeh ,شریعتمدار طهرانی فاطمه
|
|
منبع
|
كنفرانس ملي خلا ايران - 1398 - دوره : 9 - نهمین کنفرانس ملی خلأ ایران - کد همایش: ۹۸۱۹۰-۳۹۸۰۶ - صفحه:158 -161
|
|
چکیده
|
در این کار لایه های نازک کاربید سیلیکون بدون دخالت هیدروژن از سیلان (sih4) و متان (ch4) لایه نشانی شده اند. نرخ ورود گاز سیلان ثابت و sccm 0/5 و نرخ ورود گاز متان از sccm 10-100متغیر بود. گاف انرژی توسط اندازه گیری طیف عبور و بازتاب لایه ها محاسبه شد. گاف انرژی و دنباله انرژی در ابتدا افت و سپس افزایش داشته اند اما انرژی گاف اپتیکی در ابتدا افزایش و سپس کاهش نشان داد. روند تغییرات ضریب شکست نیز مانند گاف اپتیکی می‌باشد.
|
|
کلیدواژه
|
نوارهای انرژی ,کاربید سیلیکون ,رسوب بخار شیمیایی ,ضریب جذب ,ضریب شکست
|
|
آدرس
|
دانشگاه سمنان, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه سمنان, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه سمنان, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه سمنان, دانشکده فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Optical properties of SiC thin films prepared by hot wire chemical vapor deposition technique
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
In this work, optical properties of silicon carbide thin films deposited from silane (SiH4) and methane (CH4)gases without hydrogen dilution was investigated. The silane and methane gas flow rates were 0.5 sccm and 10-100 sccm, respectively. Energy gaps were calculated by measuring the transmittance and reflectance spectrumof the films. Energy gap and the Urbach energy of films first decreased and then increased with increasingmethane flow rate, but optical gap initially increased and then decreased. The trend of refractive index changeswas similar to the optical gap.
|
|
Keywords
|
نوارهای انرژی ,کاربید سیلیکون ,رسوب بخار شیمیایی ,ضریب جذب ,ضریب شکست
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|