|
|
|
|
تاثیر زمان لایه نشانی با روش تبخیر حرارتی بر خواص ساختاری و اپتیکی لایه نازک سولفید روی
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9819039806.1398.9.1.43.3
|
|
نویسنده
|
غلامی لعل آبادی کتایون ,gholami laelabadi katayoon ,مرادیان رستم ,moradian rostam ,منوچهری ایرج ,manouchehri iraj
|
|
منبع
|
كنفرانس ملي خلا ايران - 1398 - دوره : 9 - نهمین کنفرانس ملی خلأ ایران - کد همایش: ۹۸۱۹۰-۳۹۸۰۶ - صفحه:150 -153
|
|
چکیده
|
در این مقاله، لایه های نازک روی سولفید با روش تبخیر حرارتی در دمای k 473 بر زیرلایه های شیشه ای لایه نشانی شدند. تاثیر زمان لایه نشانی بر خواص ساختاری، اپتیکی، ریخت شناسی و ضخامت لایه های نازک بررسی شد. لایه های نازک تهیه شده با آنالیزهای uv-vis، xrd، afm و fe-sem مورد ارزیابی قرار گرفتند. رشد بلوری لایه های نازک بصورت مکعبی و در راستای صفحه میلر (220) مشاهده شد و با افزایش زمان لایه نشانی اندازه بلوری افزایش یافت. گاف انرژی اپتیکی برای لایه های نازک تهیه شده در حدود 3/41 تا3/43 الکترون ولت بدست آمد. همچنین طولانی تر شدن زمان لایه نشانی، سطح لایه نازک zns را زبرتر کرد.
|
|
کلیدواژه
|
تبخیر حرارتی ,سولفید روی ,لایه نازک ,ویژگی های اپتیکی
|
|
آدرس
|
دانشگاه رازی, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه رازی, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه رازی, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه رازی, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه رازی, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه رازی, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Effect of deposition time by thermal evaporation method on structural and opticalproperties of ZnS thin films
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
In the present work, ZnS thin films were grown by thermal evaporation technique on glass substrates at 473K.The effects of the deposition time on thickness and structural, morphologies and optical properties of the thinfilms were investigated. The samples were characterized by XRD, AFM, FE-SEM and UV-Vis. The films havecubic structure and crystallite size increase with increase in deposition time. Optical band gap energy waschanged from 3.41 to 3.43eV. Surface roughness of ZnS thin films increase with increase in deposition time.
|
|
Keywords
|
تبخیر حرارتی ,سولفید روی ,لایه نازک ,ویژگی های اپتیکی
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|