سلول خورشیدی زیستی بر روی بستر سیلیکون n

فتوسیستم 1 ،یک پروتئین غشایی است که در طرح zفتوسنتز استفاده می‌شود. فراوانی طبیعی ps i، همراه با قابلیت های قابل توجه آن مانند سازگاری با محیط زیست ، بازده کوانتومی داخلی %100 و داشتن ابعاد نانومتری باعث شده است محققان در سراسر جهان به بررسی کاربرد آن در سیستم های غیر بیولوژیکی بپردازند.در این تحقیق ps i ازبرگ های تازه اسفناج استخراج شده و از آن به عنوان یک فوتودیود طبیعی در یک ساختار جدید برای سلول خورشیدی حالت جامد استفاده شده است. این ساختار تشکیل شده ، از لایه های n-silicon / psi / mwcnt / au و n-silicon / psi /pedot-pss / au می‌باشد در این ساختار از سیلیکون به عنوان زیر لایه به علت نزدیک بودن انرژی نوار هدایت و انرژی نوار ظرفیت به انرژی نوار هدایت و به انرژی نوار ظرفیت فتوسیستم 1 استفاده شده است .این ساختار با استفاده از سیلیکون نوع n با چگالی حامل های بالا برای سلول خورشیدی با لایه فعال فتوسیستم 1و استفاده از نانولوله های چند دیواره کربنی به دلیل قابلیت انتقال اکترون ها و pedot-pss انتقال دهنده حفره برای اولین بار مورد بررسی قرار می‌گیرد. که نتیجه این طراحی افزایش چگالی جریان به 9/2- میلی آمپر و افزایش بازدهی به حداکثر 0/89% می باشد. که نسبت به تحقیق مشابه که بر روی سیلیکون p-doped در سال 2014 توسط یک گروه از دانشگاه تنس آمریکا صورت گرفته است ، افزایش قابل توجهی داشته است.

Biological solar cell on silicon n type substrate

Photosystem I is an integral membrane protein complex acts in the Z-scheme of photosynthesis. The naturalabundance of PS I, combined with its impressive functionality such as an internal quantum efficiencyapproaching unity and Nano scale dimension, have prompted researchers all over the world to investigate itsapplication to non-biological systems. This study extracted PS I from fresh spinach and use it as a photodiode ina new structure for solid-state solar cell, which consists of n-silicon/PSI/MWCNT/AU and n-silicon/PS/PEDOTPSS/AU. Silicon is used as an excellent platform by reason of its similarity in valence band and conductive bandwith PS I. This structure is studied by using silicon n-type with high charged density carriers for a solar cellwith active PS I and using multi-wall carbon nanotubes (MWCNTs) (due to ability of electron transmission) andPEDOT-PSS (hole transport layer). The result of this study is the increase in the density of electricity current to-9.2 and increase in maximum efficiency to %089 which comparing to the same research by a group ofAmerican scientists from University of Tennessee on P-doped silicon has a significant increase.