ویژگی های ساختاری لایه های نازک فریت شش گوشی استرانسیوم به کمک لایه نشانی لیزر پالسی

در این مطالعه، لایه های نازک فریت شش گوشی استرانسیوم روی بستر سافایر al2o3 (0001) با استفاده از تکنیک لایه نشانی لیزر پالسی (pld) به صورت همبافت رشد داده شد. تاثیر فرکانس پالس لیزری بر خواص ساختاری لایه های نازک به تفصیل مورد بررسی قرار گرفته است. انتخاب بستر سافایر به دلیل ساختار شش ضلعی آن با عدم تطابق کوچک شبکه ای با فریت استرانسیوم، که برای رشد همبافت لایه های نازک فریتی لازم است، می باشد. خواص ساختاری توسط پراش پرتو (xrd) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد بررسی قرار گرفت. آنالیز xrd نشان می دهد بافت لایه های نازک دارای ساختار تک فاز فریت شش گوشی از نوع m به خوبی تبلور یافته است. مورفولوژی با استفاده از تصاویر afm از لایه ها سطح هموار و صاف را نشان می دهد که با افزایش نرخ تکرار پالس از 2 هرتز تا 10 هرتز، اندازه جانبی ذرات جمع شده بر روی سطح لایه مرتبا کاهش می یابد.

Structural properties of strontium hexaferrite thin films by pulsed laser deposition

In this study, the epitaxial strontium hexaferrite thin films were grown on sapphire Al2O3 (0001) substrate usingpulsed laser deposition (PLD) technique. The effect of frequency pulsed laser on the structural properties of thinfilms studied in detail. The choice of Al2O3 (0001) substrate is motivated by its hexagonal structure with a smalllattice mismatch to SrFe12O19, which is required for epitaxial growth of ferrite thin films. The structuralproperties of the samples were investigated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscope (AFM). TheXRD measurements revealed a well-crystallized with single phase M-type ferrite and textured films. The surfacemorphology using AFM images of the films show a smooth surface and by increasing laser repetition rate from2 to 10 Hz, the lateral size of assembled particles on film surface decreased.