|
|
|
|
افزایش کارایی دیودهای نورگسیل آلی با استفاده از لایه ی انتقال دهنده حفره نوع p
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9819039806.1398.9.1.23.3
|
|
نویسنده
|
رحیمی غلامرضا ,hesamoddi khashei ,خاشعی حسام الدین ,zabolian hosein ,زابلیان حسین ,ورپایی محمد محمود ,varpayi mohammad mahmoud
|
|
منبع
|
كنفرانس ملي خلا ايران - 1398 - دوره : 9 - نهمین کنفرانس ملی خلأ ایران - کد همایش: ۹۸۱۹۰-۳۹۸۰۶ - صفحه:102 -105
|
|
چکیده
|
در این پژوهش با استفاده از ساخت یک لایه ی انتقال دهنده ی حفره ی نوع p، کارایی و پایداری دیود نورگسیل آلی طراحی شده بر پایه ی ماده ی آلی و نورتاب alq3، به شدت بهبود داده شد. دیود نورگسیل آلی به کمک روش تبخیر حرارتی در خلا ساخته شد و لایه ی انتقال دهنده ی حفره ی نوع p، با استفاده از روش تبخیر همزمان دو ماده ی moo3 و npb، ایجاد شد. به منظور افزایش پایداری دیود، این لایه ی انتقال دهنده با ضخامت نسبتاً بالایی در جایگاه خود لایه نشانی شد. پس از ساخت دیود، مشخصه یابی آن از جنبه های مختلف اپتیکی، الکتریکی و پایداری صورت پذیرفت. نتایج نشان داد که ضمن بهبود در ویژگیهای الکترواپتیکی، پایداری و طول عمر دیود به طور چشمگیری افزایش یافته است.
|
|
کلیدواژه
|
دیودهای نورگسیل آلی ,الکترون و حفره ,اکسیتون
|
|
آدرس
|
صنایع الکترواپتیک اصفهان, گروه پژوهشی لایه های نازک, ایران, صنایع الکترواپتیک اصفهان, گروه پژوهشی لایه های نازک, ایران, صنایع الکترواپتیک اصفهان, گروه پژوهشی لایه های نازک, ایران, دانشگاه اصفهان, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه اصفهان, گروه فیزیک, ایران, صنایع الکترواپتیک اصفهان, گروه پژوهشی لایه های نازک, ایران, صنایع الکترواپتیک اصفهان, گروه پژوهشی لایه های نازک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Improving the efficiency of organic light emitting diode by using a p-type holetransport layer
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
In this research, efficiency and stability of an Alq3 base organic light emitting diode have been improved. TheOrganic light emitting diode fabricated in vacuum chamber by physical vapor deposition and p-type Holetransport layer deposited by means of co-evaporating MoO3 and NPB materials. In order to stabilityimprovement, a thick film of this Hole transport layer has been deposited. After diode fabrication, optical,electronical and stability charactrization has been done. The results showed that, optoelectronicalcharactristics and stability of diode have been improved dramatically.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|