|
|
|
|
ساخت لایه های نازک بازتاب بالا با گستردگی زاویه ای وسیع در محدوده مادون قرمز نزدیک
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9819039806.1398.9.1.13.3
|
|
نویسنده
|
hoseinzadeh lish iran ,حسین زاده لیش ایران ,hojati rad hashem ,حجتی راد هاشم ,mohammad vierdi saeed ,محمد ویردی سعید ,maleki mohammad hadi ,ملکی محمد هادی
|
|
منبع
|
كنفرانس ملي خلا ايران - 1398 - دوره : 9 - نهمین کنفرانس ملی خلأ ایران - کد همایش: ۹۸۱۹۰-۳۹۸۰۶ - صفحه:72 -75
|
|
چکیده
|
در این مقاله طراحی و ساخت لایه های نازک بازتاب بالا با گستردگی زاویه ای 0 تا 60 درجه مورد بررسی قرار گرفت. این آینه بازتاب بالا برای طول موج 808 نانومتر توسط نرم افزار macleod طراحی گردید.در طراحی لایه های نازک دی الکتریک از روش بهینه سازی needle synthesis استفاده گردید. این طراحی شامل 41 لایه از مواد tio2 ، zro2 و sio2 می باشد. پس از انجام لایه نشانی، به نتایج منطبق با تئوری و در حد عبور پایین %محدوده طول موج مورد نظر برای محدوده وسیعی از زوایا از 0 تا 60 درجه دست یافتیم.
|
|
کلیدواژه
|
لایه های نازک، ,بازتاب بالا ,لایه نشانی
|
|
آدرس
|
پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای, پژوهشکده فوتونیک و فناوریهای کوانتومی, ایران, پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای, پژوهشکده فوتونیک و فناوریهای کوانتومی, ایران, پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای, پژوهشکده فوتونیک و فناوریهای کوانتومی, ایران, پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای, پژوهشکده فوتونیک و فناوریهای کوانتومی, ایران, پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای, پژوهشکده فوتونیک و فناوریهای کوانتومی, ایران, پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای, پژوهشکده فوتونیک و فناوریهای کوانتومی, ایران, پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای, پژوهشکده فوتونیک و فناوریهای کوانتومی, ایران, پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای, پژوهشکده فوتونیک و فناوریهای کوانتومی, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Fabrication of wide angle high reflection thin films at near infrared wavelength
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
In this paper, design and fabrication of wide angle High Reflection thin films from 0 to 60 degree wasinvestigated. This High Reflection mirror was designed by MacLeod software for 808 nm wavelength. We usedNeedle Synthesis optimization method for designing thin film layers. The design is consisted of 41 alternativelayers of TiO2, ZrO2 and SiO2 materials. After deposition of thin film layers, we obtained very low transmissionbelow than 1% from 0 to 60 degree of incident angle that was in accordance with theory.
|
|
Keywords
|
لایه های نازک، ,بازتاب بالا ,لایه نشانی
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|