بررسی نظری تاثیر دمای چشمه بر لایه نشانی مس به روش لایه نشانی فیزیکی(pvd)

لایه های نازک مس به دلیل خواص اپتیکی و الکتریکی ویژه، ارزانی و فراوانی آن به صورت گسترده درصنعت، پزشکی و کارهای تحقیقاتی مورد توجه قرار دارند. در این مقاله فرایند لایه نشانی لایه های نازک مس با روش تبخیر حرارتی شبیه سازی شده است و تاثیر دمای چشمه مس مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که دمای چشمه مس کمیت به شدت تاثیرگذاری برفرایند لایه نشانی است و چگالی تعداد ذرات مس، شار ذرات مس فرودی بر سطح زیر لایه، نرخ لایه نشانی و ضخامت لایه نازک با افزایش دما افزایش می یابد. سرانجام نرخ لایه نشانی لایه نازک مس با روش تبخیر حرارتی به صورت تابعی از دمای چشمه مس ارائه شده است.

Modelling of the physical vapor deposition (PVD): Effect of source temperature oncopper thin film

Copper thin films are widely used in industry, medicine, and research due to their special optical and electricalproperties, abundance and low copper prices. In this paper, the process of copper thin films deposition by thermalevaporation method is simulated and the influence of copper source temperatures is investigated. The results showthat the copper thin film deposition is strongly influenced by copper source temperatures. The number density,incident molecular flux of copper particles on the substrate, the deposition rate, and the thickness of the copperthin films increase with increasing the copper source temperatures. Finally, the results reveal a simple functionalrelation between the deposition rate of copper thin film produced by thermal evaporation and the copper sourcetemperature.