|
|
رشد لایه های نازک copt3 به روش لیزر پالسی و بررسی خواص مغناطیسی آنها
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9819039806.1398.9.1.9.9
|
نویسنده
|
sayyedan fatemeh ,سیدان فاطمه ,ahmadvand hossein ,احمدوند حسین
|
منبع
|
كنفرانس ملي خلا ايران - 1398 - دوره : 9 - نهمین کنفرانس ملی خلأ ایران - کد همایش: ۹۸۱۹۰-۳۹۸۰۶ - صفحه:48 -51
|
چکیده
|
در این پژوهش، لایه های نازک copt3 با استفاده از روش لیزر پالسی بر روی زیرلایه های mgo ، al2o3 و quartz لایه نشانی شده اند. حلقه پسماند مغناطیسی لایه ها با استفاده از روش مغناطو اپتیکی کر اندازه گیری شده است. هم چنین جهت بررسی دقیق تر ساختار لایه ها، از پراش پرتو ایکس استفاده شده است. هدف آزمایش، بررسی تاثیر زیرلایه و دمای لایه نشانی بر ساختار و خواص لایه است. نتایج نشان داد با زیرلایه mgo که ساختارمکعبی دارد، لایه ها ساختار منظم تر و خواص مغناطیسی بهتری نشان می دهند. لایه ی copt3 روی mgo ساخته شده در دمای لایه نشانی ℃400، ناهمسانگردی عمودی با میدان وادارندگی بزرگ برابر با oe 3937 از خود نشان داده است.
|
کلیدواژه
|
لایه های نازک copt3 ,لایه نشانی ,لیزرپالسی ,مغناطو اپتیکی کر ,میدان وادارندگی ,ناهمسانگردی عمودی
|
آدرس
|
دانشگاه صنعتی اصفهان, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه صنعتی اصفهان, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه صنعتی اصفهان, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه صنعتی اصفهان, دانشکده فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Pulsed laser deposition of CoPt3 thin films and investigation of magnetic properties
|
|
|
Authors
|
|
Abstract
|
In this study, CoPt3 thin films were deposited on MgO, Al2O3 and Quartz substrates using pulsed laser deposition(PLD). The magnetic hysteresis loops of the films were measured using the Magneto Optical Kerr Effect(MOKE).Also, the X-ray diffraction was used to examine the structure of the films. The purpose of this research was toinvestigate the effect of substrate and deposition temperature on the structure and properties of the films. TheCoPt3 films on MgO substrate prepared at 400 showed high perpendicular magnetic anisotropy with a coercivityof 3937 Oe.
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|