|
|
بهبود خواص لایه نازک zn2sno4:mn با استفاده از بازپخت خلا
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9819039806.1398.9.1.6.6
|
نویسنده
|
baghery parisa ,باقری پریسا ,ahmadi morteza ,احمدی مرتضی ,rahimi fatemeh ,رحیمی فاطمه ,عاصمی مرتضی ,asemi morteza ,ghanaatshoar majid ,قناعتشعار مجید ,zamani mehdi ,زمانی مهدی
|
منبع
|
كنفرانس ملي خلا ايران - 1398 - دوره : 9 - نهمین کنفرانس ملی خلأ ایران - کد همایش: ۹۸۱۹۰-۳۹۸۰۶ - صفحه:246 -249
|
چکیده
|
نیمرساناهای مغناطیسی رقیق به دلیل دارا بودن خواص فرومغناطیس در دمای اتاق در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. zn2sno4 آلاییده با منگنز از جمله این مواد است که علاوه بر دارا بودن خواص مغناطیسی و قیمت مناسب، از شفافیت بالایی نیز برخوردار بوده و برای استفاده در بسیاری از کاربردهای مغناطیسی و مگنتواپتیکی مناسب است. در این مقاله، به بررسی تاثیر بازپخت در محیط خلا بر خواص لایه نازک zn2sno4 آلاییده با 3/33 درصد منگنز ساخته شده به روش کندوپاش بسامد رادیویی می پردازیم. مشاهده می شود که لایه نازک بازپخت شده در دمای 800 درجه سانتی گراد و فشار 10 میلیتور در مقایسه با سایر نمونه ها از خواص بلوری، نوری و مغناطیسی بهتری بهره مند است.
|
کلیدواژه
|
نیمرسانای مغناطیسی رقیق ,لایه نازک ,بازپخت خلا ,کندوپاش ,آلایش
|
آدرس
|
دانشگاه شهید باهنر کرمان, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه شهید باهنر کرمان, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه شهید بهشتی, پژوهشکده لیزر و پلاسما, ایران, دانشگاه شهید بهشتی, پژوهشکده لیزر و پلاسما, ایران, دانشگاه شهید بهشتی, پژوهشکده لیزر و پلاسما, ایران, دانشگاه شهید بهشتی, پژوهشکده لیزر و پلاسما, ایران, دانشگاه شهید بهشتی, پژوهشکده لیزر و پلاسما, ایران, دانشگاه شهید بهشتی, پژوهشکده لیزر و پلاسما, ایران, دانشگاه شهید بهشتی, پژوهشکده لیزر و پلاسما, ایران, دانشگاه شهید بهشتی, پژوهشکده لیزر و پلاسما, ایران, دانشگاه شهید باهنر کرمان, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه شهید باهنر کرمان, دانشکده فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Improving the properties of Zn2SnO4:Mn using vacuum annealing
|
|
|
Authors
|
|
Abstract
|
Diluted magnetic semiconductors (DMS) have attracted a huge amount of attention due to their ferromagneticproperties at room temperature. Mn-doped Zn2SnO4 is among these materials which demonstrates roomtemperature ferromagnetism, reasonable price and high transparency and is suitable for magnetic andmagneto-optical applications. In this paper, we investigate the effect of vacuum annealing on the properties ofRF-sputtered Zn2SnO4 thin film doped with 3.33% of Mn. It is shown that the sample treated at 800 °C and apressure of 10 mTorr demonstrates the best crystallographic, optical and magnetic properties.
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|