لایه نشانی همزمان اربیوم و چلکوجناید در خلا بالا و بررسی نقش آن در تقویت کننده های مجتمع بر بستر موجبر er:ti:linbo3

در این مقاله به بررسی اثر لایه چلکوجناید و لایه چلکوجناید آلاییده به اربیوم با درصد وزنی 8 دهم درصد وزنی بر ضریب بهره و گسیل خودبخودی تقویت کننده مجتمع در موجبر کانالی ساخته شده بر بستر لیتیوم نیوبات آلاییده به اربیوم می پردازیم. لایه چلکوجناید as2s3 و اربیوم به طور همزمان تخت خلا بالای 6-10 تور به طور همزمان و با آهنگ های 10 آنگستروم و 3 صدم آنگستروم لایه نشانی می شوند تا مشکل خاموش شدگی ناشی از اثر خوشه ای شدن اربیوم درون لایه چلکوجناید کاهش یابد. نتایج نشان می دهد که اثر خاموش شدگی اربیوم درون لایه چلکوجناید قویتر از نقش خود لایه چلکوجناید در افزایش ضریب بهره است و نیاز به کنترل درصد وزنی اربیوم درون لایه چلکوجناید و همچنین جلوگیری از خوشه ای شدن اربیوم در حین فرایند آنیل چلکوجناید وجود دارد. هرچند در طول موج های بالای 1580نانومتر اثر کمتری دارد.

Co-evaporation of Er and As2S3 in high vacuum and the investigation of its role inintegrated waveguide amplifiers in Er:Ti:LiNbO3

In this paper, we investigate the effect of erbium-doped Chalcogenide and Chalcogenide layer with 8%wt.Weight on gain coefficient and amplified spontaneous emission of the integrated amplifier in a channelwaveguide fabricated in Er-doped lithium niobate. The As2S3 Chalcogenide layer and Erbium aresimultaneously coevaporated in high vacuum of 10-6 torr at the rate of 10 angstrom and 0.03 Angstrom persecond to reduce the quenching problem caused by the Erbium clustering effect within the Chelcogenide layerand improve the optical gain as a result. The results show that the effect of erbium quenching within theChelcogenide layer is stronger than the role of the Chelcogenide layer itself in increasing the gain coefficientand there is a need to control the weight percentage of erbium within the Chelcogenide layer as well aspreventing erbium clustering during the Chelcogenide annealing process. However, it has a weaker effect atlonger wavelengths above 1580 nm.