ساخت افزاره‌ی ممریستور چند حالته با روش مهندسی فصل مشترک‌ها

افزاره های مقاومت حافظه ای (ممریستور) به واسطه طیف وسیع کاربردهای ویژه خود نظیر حافظه های غیرفرار، محاسبات برپایه نئورومورفیک و غیره، توانسته اند در چند سال اخیر توجه محققین را به خود اختتصاص دهند. بررسی نقش فصل مشترک‌ها در عملکرد افزاره مقاومت حافظه ای با چند لایه‌ی فعال بر پایه‌استرانسیوم تیتانات منجر به کنترل و بهبود کارائی و عملکرد افزاره می‌شود. به این منظور، نانوساختار چند لایه‌ای auti/sto/sro/sto/snto مورد بررسی قرار گرفت. در این تحقیق، از لایه‌ی استرانسیوم تیتانات به عنوان لایه‎ی فعال افزاره بهره برده شده است. در طراحی افزاره لایه‌ی رسانای استرانسیوم روتانات بین دو لایه‌ی فعال استرانسیوم تیتانات ساندویچ شده است و از لایه‌ی طلا و استرانسیوم تیتانات آلائیده شده توسط نیوبیوم به ترتیب به عنوان الکترودهای بالا و پائین استفاده شده است. نتایج حاصل نشان می‌دهد که استفاده از چنین ساختاری منجر به ایجاد حالت مولتی استیت در عملکرد افزاره می‎شود که از این طریق با یک افزاره می‌توان بیش از یک ناحیه‌ی فعال عملیاتی و نیز بیش از دو حالت خاموش و روشن را بدست آورد.

Fabrication of multi-state Memristor device using interfaces engineering

Memristor devices have attracted tremendous attention for their different applications from nonvolatile data storage toneuromorphic computing units in recent years. Exploring the role of the interfaces on the performance of SrTiO3-basedmulti-layer memristor device helps to control and improve the performance of this device. For this purpose, we haveinvestigated an AuTi/SrTiO3/SrRuO3/SrTiO3/Nb:SrTiO3 multi-layer nanostructure. In this study, we used SrTiO3 thinfilm as the active layer of the device and the conductive SrRuO3 thin film was sandwiched between two SrTiO3 thinlayers. Au and Nb:SrTiO3 layers played the role of top electrode and bottom electrode, respectively. The results showthat this architect of the device leads to a multi-state electrical behavior and by this method we can improve the deviceperformance to more than two ON and OFF states and also more than one active zone.