ویژگی های ساختاری، الکتریکی و مغناطومقاومت ناهمسانگرد لایه های نازک la0.4pr0.3ca0.3mno3

در این پژوهش لایه های نازک la0.4pr0.3ca0.3mno3 به روش لایه نشانی لیزر پالسی بر روی زیرلایه ی تک بلور mgo[100] با دو ضخامت 50 و 90 نانومتر ساخته شده است. هدف این پژوهش بررسی اثر ضخامت و تنش ناشی از آن بر روی ویژگی های ساختاری، الکتریکی و مغناطومقاومت ناهمسانگرد لایه های مورد نظر است. نتایج نشان می دهد که زیرلایه ی mgo تنش کششی به لایه وارد می کند بطوریکه در ضخامت کمتر میزان این تنش بیشتر بوده و در نتیجه مقاومت الکتریکی نمونه در ضخامت 50 نانومتر بیشتر است. همچنین مغناطومقاومت ناهمسانگرد بیشینه با افزایش ضخامت، افزایش یافته بطوریکه برای لایه های با ضخامت 50 و 90 نانومتر مقدار آن به ترتیب 66 و 80 درصد به دست آمد. مقدار 80 درصد پتانسیل کاربردی خوبی برای این لایه ها پیش بینی می کند.

Structural, magnetic, electrical and anisotropic magnetoresistance properties ofLa0.4Pr0.3Ca0.3MnO3 thin films

In this study La0.4Pr0.3Ca0.3MnO3 thin film on single crystal MgO[100] substrate at 50 and 90 nm thickness wasgrown by the pulsed laser deposition method. The purpose of this study was to investigate the effect of thickness andstress on structural, electrical and anisotropic magnetoresistance properties. The results show that the MgO substrateintroduces tensile strain to the film, which in lower thickness the value of strain is higher. As a result, the electricalresistance of the 50 nm sample is higher. Also, the maximum value of anisotropic magnetoresistance increased withincreasing thickness so for 50 nm and 90 nm films is about 66% and 80% respectively. Value of 80% expected a goodapplication potential for these films.