>
Fa   |   Ar   |   En
   افزایش طول‌عمر حافظه‌ی نهان سطح آخر غیرفرار با کمک بلوک‌های ذخیره  
   
نویسنده جوکار محمدرضا ,ارجمند محمد ,سربازی‌آزاد حمید
منبع علوم رايانش و فناوري اطلاعات - 1394 - دوره : 13 - شماره : 2 - صفحه:23 -31
چکیده    تکنولوژی حافظه‌های غیرفرار همچون stt-ram، دارای چگالی سلول بالا بوده و همچنین توان نشتی تقریبا صفر دارند. در نتیجه می‌توانند به عنوان یک جایگزین مناسب برای حافظه‌های نهان متداول امروزی همچون sram، در نظر گرفته شوند. در مقابل مزایای ذکر شده، این حافظه‌ها دارای قابلیت تحمل نوشتن محدود هستند که می‌تواند منجر به طول‌عمر پایین آنها شود. در این مقاله یک راهکار برای افزایش طول‌عمر این نوع حافظه‌ها ارائه می‌شود که مبتنی بر اضافه کردن بلوک‌های ذخیره به ازاء هر مجموعه از حافظه‌ی نهان است. با خرابی یک بلوک از یک مجموعه، راهکار پیشنهادی به صورت هوشمند و بدون تاثیر منفی بر کارایی سیستم، بلوک خراب را از آن مجموعه خارج کرده و یک بلوک ذخیره را به آن مجموعه اضافه می‌کند.
کلیدواژه حافظه ی غیر فرار، تحمل تعداد نوشتن، طول عمر، stt-ram
آدرس داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ ﺷﺮﻳﻒ, داﻧﺸﻜﺪه ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ, ایران. داﻧﺸﮕﺎه ﺷﻴﻜاگو, ﺪانشکده ﻋﻠﻮم ﻛﺎﻣﭙﻴﻮتر, اﻣﺮﻳﻜﺎ, داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ ﺷﺮﻳﻒ, داﻧﺸﻜﺪه ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ, ایران. داﻧﺸﮕﺎه اﻳﺎﻟﺘﻲ ﭘﻨﺴﻴﻠﻮاﻧﻴﺎ, داﻧﺸﻜﺪه ﻣﻬﻨﺪسی ﺑﺮق و ﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ, اﻣﺮﻳکا, داﻧﺸﮕﺎه ﺻﻨﻌﺘﻲ ﺷﺮﻳﻒ, داﻧﺸﻜﺪه ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ, ایران. ﭘﮋوﻫﺸﮕﺎه داﻧﺶ ﻫﺎی ﺑﻨﻴﺎدی (ipm), ﭘﮋوﻫﺸﻜﺪه ﻋﻠﻮم ﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ, اﻳﺮان
پست الکترونیکی azad@sharif.edu,azad@ipm.ir
 
     
   
Authors
  
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved