افزایش طول عمر حافظه نهان ورودی/خروجی با استفاده از معماری ترکیبی چندسطحی

استفاده از دیسک حالت جامد به‌عنوان حافظه نهان در زیرسامانه‌های ذخیره‌سازی داده یکی از رویکردهای رایج جهت افزایش کارایی این سامانه‌ها است. دوام محدود دیسک‌های حالت جامد، یکی از اصلی‌ترین چالش‌های موجود در طراحی حافظه‌های نهان ورودی/خروجی کارا به شمار می‌آید. در این مقاله، ابتدا تاثیر معماری‌های یکسطحی و چندسطحی بررسی و نشان داده می‌شود استفاده از دیسک‌های حالت جامد به‌عنوان حافظه نهان ورودی/خروجی یک‌سطحی، تعداد دفعات نوشتن بر روی این ادوات را نسبت به درخواست‌های نوشتن ارسالی از لایه بالاتر به‌صورت میانگین 3.7 برابر می‌کند که باعث کاهش شدید طول عمر دیسک حالت جامد می‌شود. مبتنی بر این مشاهده، یک معماری ترکیبی شامل dram با دوام بالا به‌عنوان سطح اول و دیسک حالت جامد با قابلیت ذخیره‌سازی داده به‌صورت غیر فرار به‌عنوان سطح دوم پیشنهاد می‌شود. در معماری پیشنهادی، فقدان‌های خواندن در سطح اول حافظه نهان درج می‌شوند و به‌منظور بهبود کارایی حافظه نهان چندسطحی در مقایسه با معماری تک‌سطحی، یک فیلتر تنزل پیشنهاد می‌شود که وظیفه مهاجرت صفحات پرطرفدار را از سطح اول به سطح دوم حافظه نهان بر عهده خواهد داشت. ارزیابی‌های انجام شده نشان می‌دهد که معماری پیشنهادی با سربار قابل‌چشم‌پوشی کارایی (به‌طور میانگین 0.3%) می‌تواند تا 93% تعداد دفعات نوشتن بر روی دیسک حالت جامد را کاهش دهد.