تهیه و شناسایی پوشش‌های نانوکامپوزیتی ضد الکتریسیته ساکن بر‌پایه سیلیکا با فرآیند سل-ژل

در این پژوهش نانوکامپوزیت‌های هیبریدی ضدالکتریسیته ساکن بر پایه سیلیکا با روش سل ـ ژل تهیه و روی بسترهای شیشه‌ای یا آلومینیمی به روش پوشش‌دهی غوطه‌وری اعمال وخواص مکانیکی و الکتریکی آنها بررسی شد. سل هیبریدی به وسیله واکنش آبکافت و تراکم پیش‌سازه‌های آلی - معدنی گلیسیدوکسی پروپیل تری متوکسی سیلان) (gptms و تترا متوکسی سیلان ((tmos در مجاورت کاتالیزور اسیدی و اتیلن دی آمین (ed) به عنوان عامل شبکه‌ای کننده تهیه شد. از ترکیب آمینوسیلان n-(2-آمینواتیل)3- آمینوپروپیل تری متوکسی سیلان (aapm) به عنوان عامل ضد الکتریسیته ساکن استفاده شد. خاصیت ضد الکتریسیته ساکن پوشش‌ها با اندازه‌گیری مقاومت الکتریکی سطحی آنها اثبات وبا استفاده از طیف‌سنجی زیر قرمز انتقال فوریه پیشرفت واکنش‌های آبکافت و تراکم بررسی شد. تصاویر میکروسکوپی الکترون پویشی ((sem و الکترون عبوری (tem) سطح نمونه‌ها موید داشتن پوششی یکنواخت و اندازه ذرات در حدود 100-30 نانومتر بود. همچنین استحکام چسبندگی با استفاده از روش برش متقاطع بررسی شد. این نوع پوشش‌های نانوکامپوزیتی ضد الکتریسیته ساکن را می‌توان در جاهایی که عدم تجمع بار اهمیت دارد مانند صفحه نمایشگر تلویزیون، قطعات الکترونیکی و غیره به کار برد.