>
Fa   |   Ar   |   En
   تاثیر سرعت دورانی و ترکیب دو ذره‌ی ساینده آلومینیوم‌اکساید و سلیکون‌کارباید با روش نانو پرداخت‌کاری با استفاده از میدان مغناطیسی  
   
نویسنده خوش انجام علی ,امیری صادق ,عزیزی عبدالحمید
منبع مهندسي مكانيك مدرس - 1394 - دوره : 15 - شماره : 13 - صفحه:234 -239
چکیده    پرداخت کاری با استفاده از میدان مغناطیسی1 (nnmaf)، روشی نوین برای براده برداری بصورت مکانیکی بوده و از طریق سایش ابزار، که بصورت پودر ذرات ساینده در فرآیندnmaf می باشد، نیروی مورد نیاز برای حرکت ابزار توسط میدان مغناطیسی که خود دارای حرکت نسبی با قطعه‌کار است تامین می‌شود. این روش برای پرداخت قطعات فلزی غیرمغناطیسی و یا قطعات غیر فلزی قابل استفاده است. یکی از ویژگی‌های خاص این روش توانایی انجام پرداخت کاری روی سطوحی از قطعه است که بدلیل شکل هندسی ابزارهای معمول توانایی انجام کار را بروی آن ها ندارند مانند پرداخت کاری سوپر آلیاژها و فلزات سخت و همچنین برای سطوحی که فرم های خاص دارند و نمی توان از طرق دیگر به این میزان پرداخت سطحی دست پیدا کرد.در این مقاله با استفاده از مکانیزم nmaf برای پرداخت کاری سطوح خارجی بر روی میله هایی از جنس سوپرآلیاژ هاستآلوی c206 شرح داده شده است که کیفیت سطح در حد نانو ارتقا می‌یابد.برای ایجاد میدان مغناطسیی از آهنرباهای متغییر استفاده شده است. در آزمایشات انجام شده سعی بر آن شده است که تاثیرات ذرات ساینده و دوران بروی کیفیت سطوح قطعات مورد بررسی قرار گیرد . افزایش سرعت دورانی تاثیر گذار بوده و افزایش آن تا مقدار خاصی سبب دستیابی به صافی سطح بهتر می شود. عامل اصلی تاثیرگذار بروی کیفیت سطح مقداراستفاده از ذرات ساینده می‌باشد. در این تحقیق از ذرات ساینده آلومینیوم اکسید و برای اولین بار از سیلیکون‌کارباید و تلفیق آن ها مورد استفاده قرارگرفته است. با افزایش سرعت حرکت نسبی نیز تا محدوده خاصی تاثیر مثبت در نتیجه دیده می‌شود اما با گذر از این محدوده تاثیر افزایش سرعت عکس شده و روی نتایج فرآیند اثر نامطلوب خواهد داشت.
کلیدواژه نانو پرداخت کاری ,میدان مغناطیسی ,پودرهای ساینده ,سرعت دورانی ,آهنربای متغییر ,صافی سطح
آدرس دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه, ایران, مربی، ماشین ابزار، دانشگاه فنی و حرفه ای کرمانشاه، کرمانشاه, ایران, دانشگاه ایلام, ایران
 
     
   
Authors
  
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved