اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال آب- مس در محفظه T شکل مورب

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در یک محفظه t شکل مورب پر شده از نانوسیال آب و مس تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت به روش عددی بررسی شده است. دیوار بالایی محفظه در دمای سرد و سایر دیواره ها عایق می باشند. یک منبع حرارتی با دمای ثابت در کف محفظه تعبیه شده است. معادلات حاکم به روش حجم کنترل جبری شده و توسط الگوریتم سیمپل به طور همزمان حل می گردد. عدد هارتمن از 0 تا 80 تغییر داده شده و محفظه تحت زوایای 0 تا 90 درجه چرخیده است. نتایج نشان می دهند، اثر میدان مغناطیسی بر نوسلت متوسط در ریلی های بالا بیشتر است. در ra=105، افزایش نانوسیال، تا عدد هارتمن 20، سبب کاهش نوسلت متوسط می شود و در هارتمن 40 به بالا، سبب افزایش نوسلت متوسط می شود. در ra=106، افزایش نانوسیال، تا عدد هارتمن 20، سبب افزایش نوسلت متوسط می شود و در هارتمن 40 به بالا، سبب کاهش نوسلت متوسط می شود. همچنین نتایج نشان می دهد، بیشترین انتقال حرارت در اعداد ریلی 105 و 106، در زاویه 5/67 درجه رخ می دهد و کمترین انتقال حرارت در اعداد ریلی 105 و 106، به ترتیب در زاویه صفر و 5/22 درجه رخ می دهد.