طراحی و ساخت دستگاه اندازه‌گیری ضریب هدایت حرارتی و اندازه‌گیری ضریب هدایت حرارتی یک نمونه نانوسیال مغناطیسی

آگاهی از ضریب هدایت حرارتی نانوسیال ها با توجه به توسعه چشمگیر استفاده از آنها در پژوهش ها ضروری است که با توجه به ناتوانی مدل-های ارایه شده در اکثر موارد لازم است بصورت تجربی ضریب هدایت حرارتی اندازه گیری شود. در این مقاله طراحی و بررسی عملکرد دستگاه اندازه گیری ضریب هدایت حرارتی سیالات و نانوسیالات بدون استفاده از پل وتستون بررسی‌شده است. سابقاً از روش پل وتستون برای ساخت سیم داغ کوتاه گذرا استفاده می‌شد که نیاز به سیستم الکترونیکی پیچیده و مصرف توان الکتریکی بالایی دارد. در این مقاله روش جدیدی ارایه شده است به‌طوری‌که نه جریان ثابت نگه‌داشته شده است و نه ولتاژ، بلکه از روش اندازه‌گیری مقاومت نسبی و از پراب مسی با روکش لاکی با قطر 40 میکرون استفاده‌شده است که به‌راحتی در دسترس است. بیشترین اختلاف نتایج این طراحی با مراجع، % 17/1 به‌دست‌آمده است. در این راستا تغییرات ضریب هدایت حرارتی سیال مغناطیسی به‌صورت تجربی بررسی‌شده است. سیالهای مغناطیسی دسته جدیدی از نانوسیالها هستند که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می‌گیرند و خواص آنها دچار تغییر می‌شود. آزمایش‌ها برای سیال‌ مغناطیسی fe3o4 بر پایه آب با درصدهای حجمی مختلف انجام‌شده است.