مدل‌سازی عددی انتقال حرارت جابه‌‌جایی داخلی سیال مغناطیسی تحت میدان مغناطیسی منقطع و فرکانس‌های زمانی متفاوت

در این مقاله انتقال حرارت جابه‌جایی اجباری فروسیال در داخل یک لوله مسی شامل قسمت‌هایی با عایق الکترو مغناطیس تحت یک میدان مغناطیسی متناوب به‌صورت عددی بررسی شده، که هدف اصلی تحقیق، افزایش سرعت در لایه مرزی با استفاده از اثر میدان مغناطیسی بر نانوذرات برای افزایش انتقال حرارت بیشتر بوده است. با توجه به این‌که تاکنون اثر استفاده از عایق الکترومغناطیس در افزایش انتقال حرارت جابه‌جایی به‌صورت تجربی بررسی نشده است، پس از مدل‌سازی عددی مسیله در حالت بدون عایق الکترو مغناطیس و اعتبار‌سنجی آن، اثرات میدان مغناطیسی بر مقدار ضریب انتقال حرارت جابه‌جایی در درصدهای حجمی و اعداد رینولدز مختلف در لوله‌ای شامل قسمت‌هایی با عایق الکترومغناطیس مورد بررسی قرار گرفته و با حالت بدون عایق مقایسه شده‌اند. افزایش فرکانس زمانی میدان مغناطیسی متناوب و کسر حجمی نانوذرات، منجر‌به افزایش بهتر انتقال حرارت در محدوده مورد نظر گردیده‌اند، که نتایج تاثیر این پارامترها و تغییرات ناشی از آن‌ها نسبت به حالت بدون میدان مغناطیسی بیشتر است. همچنین نتیجه بررسی در اعداد رینولدز مختلف نشان داده است که اثر میدان مغناطیسی در اعداد رینولدز کم و فرکانس‌های بزرگتر، بیشتر بوده است.