بررسی عددی اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت اجباری نانوسیال در یک کانال سینوسی شکل

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی در یک کانال سینوسی شکل حاوی نانوسیال تحت میدان مغناطیسی بررسی شده است. میدان مغناطیسی عمود بر کانال اعمال شده است. آب به عنوان سیال پایه در نظر گرفته شده است و نانو ذره مس به آن افزوده می‌شود. از مدل ماکسول-گرانت برای ضریب رسانش حرارتی و مدل برینکمن برای ویسکوزیته دینامیکی استفاده می‌شود. تغییر پارامترهایی نظیر اثر شکل هندسی ، درصد حجمی نانوسیال ، عدد بی‌بعد هارتمن و عدد بی‌بعد رینولدز در نظر گرفته شده است. نتایج نشان می‌دهند با افزایش تمام پارامترهای ذکر شده، عدد ناسلت افزایش می‌یابد. درصد حجمی نانوسیال، بیشتر بر مقادیر ماکزیمم ناسلت محلی در هر طول موج کانال و مقادیر هارتمن، هم بر مینیمم و هم بر ماکزیمم مقدار ناسلت محلی، تاثیر گذار هستند