|
|
|
|
انتقال حرارت جابجایی توام نانوسیال در یک کانال مورب تحت میدان مغناطیسی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
صادقی صدیقه ,قاسمی بهزاد
|
|
منبع
|
مهندسي مكانيك مدرس - 1392 - دوره : 13 - شماره : 7 - صفحه:18 -31
|
|
چکیده
|
جریان جا بجایی توام نانوسیال آب- مس در کانالی تحت تاثیر میدان مغناطیسی به روش عددی بررسی شده است. خطوط جریان، دما و میزان انتقال حرارت در قالب عدد نوسلت از طریق حل عددی معادلات نویر استوکس و معادله انرژی مدل شده است. در این مطالعه به بررسی پارامترهایی مانند عدد ریچاردسون، عدد هارتمن، کسر حجمی جامد و زاویه کانال بر روی میدان جریان و میزان انتقال حرارت پرداخته شده است. نتایج بیانگر آن است که افزایش عدد هارتمن در اعداد ریچاردسون بالا منجر به کاهش انتقال حرارت می‌شود. با افزایش عدد ریچاردسون، افزایش کسر حجمی جامد و افزایش زاویه کانال نسبت به افق انتقال حرارت افزایش می‌یابد. همچنین بیشینه برگشت جریان در کانال عمودی روی می‌دهد.
|
|
کلیدواژه
|
جابجایی توام ,برگشت جریان ,نانوسیال ,کانال ,میدان مغناطیسی
|
|
آدرس
|
دانشگاه شهرکرد, دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی مکانیک, ایران, دانشگاه شهرکرد, استاد مهندسی مکانیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
ghasemi@eng.sku.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|